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BT258S600RT/R

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 5000mA I(T), 600V V(DRM)
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小272KB,共5页
制造商Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
官网地址https://www.nxp.com/
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BT258S600RT/R概述

Silicon Controlled Rectifier, 5000mA I(T), 600V V(DRM)

BT258S600RT/R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
标称电路换相断开时间100 µs
关态电压最小值的临界上升速率50 V/us
最大直流栅极触发电流0.2 mA
最大直流栅极触发电压1.5 V
最大维持电流6 mA
JESD-609代码e0
最大漏电流0.5 mA
通态非重复峰值电流75 A
最大通态电压1.5 V
最大通态电流5000 A
最高工作温度125 °C
断态重复峰值电压600 V
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
触发设备类型SCR

BT258S600RT/R相似产品对比

BT258S600RT/R BT258S600R BT258S500R
描述 Silicon Controlled Rectifier, 5000mA I(T), 600V V(DRM) Silicon Controlled Rectifier, 5000mA I(T), 600V V(DRM) Silicon Controlled Rectifier, 5000mA I(T), 500V V(DRM)
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
标称电路换相断开时间 100 µs 100 µs 100 µs
关态电压最小值的临界上升速率 50 V/us 50 V/us 50 V/us
最大直流栅极触发电流 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA
最大直流栅极触发电压 1.5 V 1.5 V 1.5 V
最大维持电流 6 mA 6 mA 6 mA
JESD-609代码 e0 e0 e0
最大漏电流 0.5 mA 0.5 mA 0.5 mA
通态非重复峰值电流 75 A 75 A 75 A
最大通态电压 1.5 V 1.5 V 1.5 V
最大通态电流 5000 A 5000 A 5000 A
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
断态重复峰值电压 600 V 600 V 500 V
表面贴装 YES YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
触发设备类型 SCR SCR SCR
430 NRF24L01无线通信
/////////////////////////读写操作///////////////////////////////////// uchar SPI_RW(uchar byte) { uchar bit_ctr; PORT &=~(BIT(CLK)); for(bit_ctr=0;bit_ctr...
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