电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

74AUP2G08GM-G

产品描述IC AUP/ULP/V SERIES, DUAL 2-INPUT AND GATE, PQCC8, 1.60 X 1.60 MM, 0.50 MM HEIGHT, PLASTIC, MO-255, SOT902-1, QFN-8, Gate
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小88KB,共16页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
下载文档 详细参数 全文预览

74AUP2G08GM-G概述

IC AUP/ULP/V SERIES, DUAL 2-INPUT AND GATE, PQCC8, 1.60 X 1.60 MM, 0.50 MM HEIGHT, PLASTIC, MO-255, SOT902-1, QFN-8, Gate

74AUP2G08GM-G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称NXP(恩智浦)
零件包装代码QFN
包装说明VQCCN, LCC8,.06SQ,20
针数8
Reach Compliance Codeunknown
系列AUP/ULP/V
JESD-30 代码S-PQCC-N8
JESD-609代码e4
长度1.6 mm
负载电容(CL)30 pF
逻辑集成电路类型AND GATE
最大I(ol)0.0017 A
湿度敏感等级1
功能数量2
输入次数2
端子数量8
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VQCCN
封装等效代码LCC8,.06SQ,20
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.2/3.3 V
Prop。Delay @ Nom-Sup24 ns
传播延迟(tpd)24 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器NO
座面最大高度0.5 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)0.8 V
标称供电电压 (Vsup)1.2 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式NO LEAD
端子节距0.5 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度1.6 mm

文档预览

下载PDF文档
74AUP2G08
Low-power dual 2-input AND gate
Rev. 01 — 6 October 2006
Product data sheet
1. General description
The 74AUP2G08 is a high-performance, low-power, low-voltage, Si-gate CMOS device,
superior to most advanced CMOS compatible TTL families.
Schmitt-trigger action at all inputs makes the circuit tolerant to slower input rise and fall
times across the entire V
CC
range from 0.8 V to 3.6 V.
This device ensures a very low static and dynamic power consumption across the entire
V
CC
range from 0.8 V to 3.6 V.
This device is fully specified for partial power-down applications using I
OFF
.
The I
OFF
circuitry disables the output, preventing the damaging backflow current through
the device when it is powered down.
The 74AUP2G08 provides the dual 2-input AND function.
2. Features
I
Wide supply voltage range from 0.8 V to 3.6 V
I
High noise immunity
I
Complies with JEDEC standards:
N
JESD8-12 (0.8 V to 1.3 V)
N
JESD8-11 (0.9 V to 1.65 V)
N
JESD8-7 (1.2 V to 1.95 V)
N
JESD8-5 (1.8 V to 2.7 V)
N
JESD8-B (2.7 V to 3.6 V)
I
ESD protection:
N
HBM JESD22-A114-D Class 3A exceeds 5000 V
N
MM JESD22-A115-A exceeds 200 V
N
CDM JESD22-C101-C exceeds 1000 V
I
Low static power consumption; I
CC
= 0.9
µA
(maximum)
I
Latch-up performance exceeds 100 mA per JESD 78 Class II
I
Inputs accept voltages up to 3.6 V
I
Low noise overshoot and undershoot < 10 % of V
CC
I
I
OFF
circuitry provides partial Power-down mode operation
I
Multiple package options
I
Specified from
−40 °C
to +85
°C
and
−40 °C
to +125
°C
TIVA C Launchpad 第四,五周计划
因为换成了LM4F120的launchpad,USB Host和CAN两个的计划取消掉了。剩下的就是RTOS了,ti提供了FreeRTOS的demo,不太喜欢FreeRTOS,也不太了解它,打算换个别的上去。TI默认的Demo是切换LED的。 ......
dzc2001 微控制器 MCU
MSP430FG437数字IO引脚输出低电平电压不正常
新手求教! 现使用MSP430FG437数字IO直接连接PNP三极管基极,以控制三极管实现开关功能。但连接三极管基极的数字IO端口在对应PxOUT控制字为1时,正常输出3.3V高电平,而至低电平时则输出2.3V ......
babette 微控制器 MCU
争排名很幼稚——台积电工程师写给学弟学妹们的信
争排名很幼稚——台积电工程师写给学弟学妹们的信 都说三十而立,但是回头看看却几乎一事无成。 维护中东和平这种大事咱做不了,鸡毛蒜皮的琐事又不愿做,典型的眼高手低。平日里大嘴教育 ......
catia 单片机
PCB Layout 手册
在网上找到的PCB Layout 手册,适用于新手。 现共享起来,供大家学习一下。 338295 ...
kekeani PCB设计
变量前面加(void)是什么作用?
变量前面加(void)是什么作用? 例如一句: (void) a; 这里a是一个参数变量,unsigned char类型 ...
wangfuchong 单片机
求 IAR ,zigbee技术开发高手
本人刚进入无线通讯领域,无甚经验,求高手指点一二。 具体项目关于zigbee技术的无线通讯,使用CC2430单片机实现,编译器为IAR,难处在于有许多代码看不懂,请乐意帮助的朋友留个联系方 ......
ssnh6688 嵌入式系统

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1515  1583  1376  245  2414  9  38  14  21  8 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved