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BTW43-1000G

产品描述TRIAC, 1000V V(DRM), 12A I(T)RMS,
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小355KB,共7页
制造商Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
官网地址https://www.nxp.com/
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BTW43-1000G概述

TRIAC, 1000V V(DRM), 12A I(T)RMS,

BTW43-1000G规格参数

参数名称属性值
厂商名称Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
换向电压的临界上升率-最小值10 V/us
关态电压最小值的临界上升速率200 V/us
最大直流栅极触发电流100 mA
最大直流栅极触发电压2.5 V
最大维持电流100 mA
最大漏电流5 mA
最大通态电压2.2 V
最高工作温度125 °C
最大均方根通态电流12 A
断态重复峰值电压1000 V
表面贴装NO
触发设备类型TRIAC

BTW43-1000G相似产品对比

BTW43-1000G BTW43-1000H BTW43-600H BTW43-600G
描述 TRIAC, 1000V V(DRM), 12A I(T)RMS, TRIAC, 1000V V(DRM), 12A I(T)RMS, TRIAC, 600V V(DRM), 12A I(T)RMS, TRIAC, 600V V(DRM), 12A I(T)RMS,
厂商名称 Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
换向电压的临界上升率-最小值 10 V/us 10 V/us 10 V/us 10 V/us
关态电压最小值的临界上升速率 200 V/us 200 V/us 200 V/us 200 V/us
最大直流栅极触发电流 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA
最大直流栅极触发电压 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
最大维持电流 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA
最大漏电流 5 mA 5 mA 5 mA 5 mA
最大通态电压 2.2 V 2.2 V 2.2 V 2.2 V
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最大均方根通态电流 12 A 12 A 12 A 12 A
断态重复峰值电压 1000 V 1000 V 600 V 600 V
表面贴装 NO NO NO NO
触发设备类型 TRIAC TRIAC TRIAC TRIAC
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