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74AUP1G80GN

产品描述AUP/ULP/V SERIES, POSITIVE EDGE TRIGGERED D FLIP-FLOP, INVERTED OUTPUT, PDSO6, 0.90 X 1 MM, 0.35 MM HEIGHT, SOT-1115, SON-6
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小363KB,共22页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
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74AUP1G80GN概述

AUP/ULP/V SERIES, POSITIVE EDGE TRIGGERED D FLIP-FLOP, INVERTED OUTPUT, PDSO6, 0.90 X 1 MM, 0.35 MM HEIGHT, SOT-1115, SON-6

74AUP1G80GN规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称NXP(恩智浦)
零件包装代码SON
包装说明0.90 X 1 MM, 0.35 MM HEIGHT, SOT-1115, SON-6
针数6
Reach Compliance Codeunknown
系列AUP/ULP/V
JESD-30 代码R-PDSO-N6
JESD-609代码e3
长度1 mm
逻辑集成电路类型D FLIP-FLOP
湿度敏感等级1
位数1
功能数量1
端子数量6
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
输出极性INVERTED
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SON
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
传播延迟(tpd)27.2 ns
认证状态Not Qualified
座面最大高度0.35 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)0.8 V
标称供电电压 (Vsup)1.1 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层TIN
端子形式NO LEAD
端子节距0.3 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
触发器类型POSITIVE EDGE
宽度0.9 mm
最小 fmax510 MHz

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74AUP1G80
Low-power D-type flip-flop; positive-edge trigger
Rev. 4 — 28 June 2012
Product data sheet
1. General description
The 74AUP1G80 provides the single positive-edge triggered D-type flip-flop. Information
on the data input is transferred to the Q output on the LOW-to-HIGH transition of the clock
pulse. The input pin D must be stable one set-up time prior to the LOW-to-HIGH clock
transition for predictable operation.
Schmitt trigger action at all inputs makes the circuit tolerant to slower input rise and fall
times across the entire V
CC
range from 0.8 V to 3.6 V.
This device ensures a very low static and dynamic power consumption across the entire
V
CC
range from 0.8 V to 3.6 V.
This device is fully specified for partial power-down applications using I
OFF
.
The I
OFF
circuitry disables the output, preventing the damaging backflow current through
the device when it is powered down.
2. Features and benefits
Wide supply voltage range from 0.8 V to 3.6 V
High noise immunity
Complies with JEDEC standards:
JESD8-12 (0.8 V to 1.3 V)
JESD8-11 (0.9 V to 1.65 V)
JESD8-7 (1.2 V to 1.95 V)
JESD8-5 (1.8 V to 2.7 V)
JESD8-B (2.7 V to 3.6 V)
ESD protection:
HBM JESD22-A114F exceeds 5000 V
MM JESD22-A115-A exceeds 200 V
CDM JESD22-C101E exceeds 1000 V
Low static power consumption; I
CC
= 0.9
A
(maximum)
Latch-up performance exceeds 100 mA per JESD 78 Class II
Inputs accept voltages up to 3.6 V
Low noise overshoot and undershoot < 10 % of V
CC
I
OFF
circuitry provides partial power-down mode operation
Multiple package options
Specified from
40 C
to +85
C
and
40 C
to +125
C

74AUP1G80GN相似产品对比

74AUP1G80GN 74AUP1G80GS
描述 AUP/ULP/V SERIES, POSITIVE EDGE TRIGGERED D FLIP-FLOP, INVERTED OUTPUT, PDSO6, 0.90 X 1 MM, 0.35 MM HEIGHT, SOT-1115, SON-6 AUP/ULP/V SERIES, POSITIVE EDGE TRIGGERED D FLIP-FLOP, INVERTED OUTPUT, PDSO6, 1 X 1 MM, 0.35 MM HEIGHT, SOT-1202, SON-6
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
零件包装代码 SON SON
包装说明 0.90 X 1 MM, 0.35 MM HEIGHT, SOT-1115, SON-6 1 X 1 MM, 0.35 MM HEIGHT, SOT-1202, SON-6
针数 6 6
Reach Compliance Code unknown unknown
系列 AUP/ULP/V AUP/ULP/V
JESD-30 代码 R-PDSO-N6 S-PDSO-N6
JESD-609代码 e3 e3
长度 1 mm 1 mm
逻辑集成电路类型 D FLIP-FLOP D FLIP-FLOP
湿度敏感等级 1 1
位数 1 1
功能数量 1 1
端子数量 6 6
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
输出极性 INVERTED INVERTED
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SON VSON
封装形状 RECTANGULAR SQUARE
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
传播延迟(tpd) 27.2 ns 27.2 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 0.35 mm 0.35 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 0.8 V 0.8 V
标称供电电压 (Vsup) 1.1 V 1.1 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE
端子面层 TIN TIN
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子节距 0.3 mm 0.35 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30
触发器类型 POSITIVE EDGE POSITIVE EDGE
宽度 0.9 mm 1 mm
最小 fmax 510 MHz 510 MHz
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