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MB8118-12Z

产品描述Page Mode DRAM, 16KX1, 120ns, MOS, CDIP16
产品类别存储    存储   
文件大小377KB,共9页
制造商FUJITSU(富士通)
官网地址http://edevice.fujitsu.com/fmd/en/index.html
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MB8118-12Z概述

Page Mode DRAM, 16KX1, 120ns, MOS, CDIP16

MB8118-12Z规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称FUJITSU(富士通)
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP16,.3
针数16
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间120 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-XDIP-T16
JESD-609代码e0
内存密度16384 bit
内存集成电路类型PAGE MODE DRAM
内存宽度1
端子数量16
字数16384 words
字数代码16000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16KX1
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP16,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
认证状态Not Qualified
刷新周期128
最大压摆率0.029 mA
表面贴装NO
技术MOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL

MB8118-12Z相似产品对比

MB8118-12Z MB8118-10Z MB8118-10P
描述 Page Mode DRAM, 16KX1, 120ns, MOS, CDIP16 Page Mode DRAM, 16KX1, 100ns, MOS, CDIP16 Page Mode DRAM, 16KX1, 100ns, NMOS, PDIP16, PLASTIC, DIP-16
包装说明 DIP, DIP16,.3 DIP, DIP16,.3 DIP,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
最长访问时间 120 ns 100 ns 100 ns
JESD-30 代码 R-XDIP-T16 R-XDIP-T16 R-PDIP-T16
内存密度 16384 bit 16384 bit 16384 bit
内存集成电路类型 PAGE MODE DRAM PAGE MODE DRAM PAGE MODE DRAM
内存宽度 1 1 1
端子数量 16 16 16
字数 16384 words 16384 words 16384 words
字数代码 16000 16000 16000
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C
组织 16KX1 16KX1 16KX1
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC CERAMIC PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP DIP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 128 128 128
表面贴装 NO NO NO
技术 MOS MOS NMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
是否Rohs认证 不符合 不符合 -
厂商名称 FUJITSU(富士通) FUJITSU(富士通) -
零件包装代码 DIP DIP -
针数 16 16 -
I/O 类型 SEPARATE SEPARATE -
JESD-609代码 e0 e0 -
封装等效代码 DIP16,.3 DIP16,.3 -
最大压摆率 0.029 mA 0.033 mA -
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) -

 
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