Page Mode DRAM, 16KX1, 120ns, MOS, CDIP16
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | FUJITSU(富士通) |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, DIP16,.3 |
针数 | 16 |
Reach Compliance Code | unknown |
最长访问时间 | 120 ns |
I/O 类型 | SEPARATE |
JESD-30 代码 | R-XDIP-T16 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 16384 bit |
内存集成电路类型 | PAGE MODE DRAM |
内存宽度 | 1 |
端子数量 | 16 |
字数 | 16384 words |
字数代码 | 16000 |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 16KX1 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | CERAMIC |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP16,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 128 |
最大压摆率 | 0.029 mA |
表面贴装 | NO |
技术 | MOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
MB8118-12Z | MB8118-10Z | MB8118-10P | |
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描述 | Page Mode DRAM, 16KX1, 120ns, MOS, CDIP16 | Page Mode DRAM, 16KX1, 100ns, MOS, CDIP16 | Page Mode DRAM, 16KX1, 100ns, NMOS, PDIP16, PLASTIC, DIP-16 |
包装说明 | DIP, DIP16,.3 | DIP, DIP16,.3 | DIP, |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
最长访问时间 | 120 ns | 100 ns | 100 ns |
JESD-30 代码 | R-XDIP-T16 | R-XDIP-T16 | R-PDIP-T16 |
内存密度 | 16384 bit | 16384 bit | 16384 bit |
内存集成电路类型 | PAGE MODE DRAM | PAGE MODE DRAM | PAGE MODE DRAM |
内存宽度 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 16 | 16 | 16 |
字数 | 16384 words | 16384 words | 16384 words |
字数代码 | 16000 | 16000 | 16000 |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
组织 | 16KX1 | 16KX1 | 16KX1 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | CERAMIC | CERAMIC | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP | DIP | DIP |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
刷新周期 | 128 | 128 | 128 |
表面贴装 | NO | NO | NO |
技术 | MOS | MOS | NMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | - |
厂商名称 | FUJITSU(富士通) | FUJITSU(富士通) | - |
零件包装代码 | DIP | DIP | - |
针数 | 16 | 16 | - |
I/O 类型 | SEPARATE | SEPARATE | - |
JESD-609代码 | e0 | e0 | - |
封装等效代码 | DIP16,.3 | DIP16,.3 | - |
最大压摆率 | 0.029 mA | 0.033 mA | - |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | - |
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