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HM66WP36257FP-75

产品描述256KX36 ZBT SRAM, 7.5ns, PQFP100, LQFP-100
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文件大小270KB,共31页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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HM66WP36257FP-75概述

256KX36 ZBT SRAM, 7.5ns, PQFP100, LQFP-100

HM66WP36257FP-75规格参数

参数名称属性值
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码QFP
包装说明LQFP,
针数100
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间7.5 ns
其他特性FLOW-THROUGH ARCHITECTURE; CAN ALSO OPERATE AT 3.3V SUPPLY
JESD-30 代码R-PQFP-G100
长度20 mm
内存密度9437184 bit
内存集成电路类型ZBT SRAM
内存宽度36
功能数量1
端子数量100
字数262144 words
字数代码256000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX36
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)2.625 V
最小供电电压 (Vsup)2.375 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
宽度14 mm

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HM66WP18513/HM66WP36257
9M Flow Through Zero Bus Latency (ZBL) SRAM
(HM66WP18513) 512-Kword
×
18-bit
(HM66WP36257) 256-Kword
×
36-bit
ADE-203-1285C (Z)
Preliminary
Rev. 0.3
Mar. 29, 2002
Description
The HM66WP18513 is a synchronous fast static RAM organized as 512-Kword
×
18-bit. The
HM66WP36257 is a synchronous fast static RAM organized as 256-Kword
×
36-bit. It has realized high
speed access time by employing the most advanced CMOS process and high speed circuit designing
technology. It is most appropriate for the application which requires high speed, high density memory and
wide bit width configuration, such as cache and buffer memory in system. It is packaged in standard 100-
pin LQFP and 119-pin BGA.
Note : All power supply(V
DD
,V
DDQ
) and ground(V
SS
) pins must be connected for proper operation of the
device.
TM
TM
ZBL : Zero Bus Latency and compatible ZBT SRAM. ZBT is trademark of Integrated Device
Technology, Inc.,
Features
3.3 V or 2.5V power supply, 3.3 V or 2.5 V I/O supply voltage
Clock frequency: 133/117/100 MHz
Fast clock access time: 6.5/7.5/8.5 ns (max)
Low operating current: 200/180/160 mA (max)
Address data pipeline capability
Internal input registers (Address, Data, Control)
Internal self-timed write cycle
ADV/LD burst control pins
Asynchronous output enable controlled three-state outputs
Individual byte write control
Power down state via ZZ
Common data inputs and data outputs
High board density 100-pin LQFP package and 119-pin BGA package
Burst control selected pin
LBO
(Interleave or linear burst oder)
Preliminary: The specifications of this device are subject to change without notice. Please contact your
nearest Hitachi’s Sales Dept. regarding specifications.
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