Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HB56UW1672EJN-5

文档预览

HB56UW1672EJN-5: 产品描述EDO DRAM Module, 16MX4, 50ns, CMOS, DUAL LEAD OUT, SOCKET TYPE, DIMM-168; 产品类别存储存储; 文件大小329KB，共29页; 制造商Hitachi （Renesas ）; 官网地址http://www.renesas.com/eng/

下载文档详细参数选型对比全文预览

HB56UW1672EJN-5概述

EDO DRAM Module, 16MX4, 50ns, CMOS, DUAL LEAD OUT, SOCKET TYPE, DIMM-168

HB56UW1672EJN-5规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM168
针数	168
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间	50 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH; WD-MAX; SEATED HGT-NOM
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N168
长度	133.35 mm
内存密度	67108864 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE
内存宽度	4
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	168
字数	16777216 words
字数代码	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	16MX4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM168
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
座面最大高度	25.4 mm
最大待机电流	0.009 A
最大压摆率	1.98 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
宽度	9 mm

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

HB56UW1672EJN-5/6

128MB Unbuffered EDO DRAM DIMM

16-Mword

72-bit, 8k Refresh, 1 Bank Module

(18 pcs of 16M

4 components)

ADE-203-902A (Z)

Rev. 1.0

Mar. 25, 1998

Description

The HB56UW1672EJN belongs to 8-byte DIMM (Dual in-line Memory Module) family , and has been

developed an optimized main memory solution for 4 and 8-byte processor applications. The

HB56UW1672EJN is a 16 M

72 Dynamic RAM Module, mounted 18 pieces of 64-Mbit DRAM

(HM5164405) sealed in SOJ package and 1 piece of serial EEPROM for Presence Detect (PD). The

HB56UW1672EJN offers Extended Data Out (EDO) Page Mode as a high speed access mode. An outline

of the HB56UW1672EJN is 168-pin socket type package (dual lead out). Therefore, the

HB56UW1672EJN makes high density mounting possible without surface mount technology. The

HB56UW1672EJN provides common data inputs and outputs. Decoupling capacitors are mounted beside

each SOJ on its module board.

Features

•

168-pin socket type package (Dual lead out)



Outline: 133.35 mm (Length)

25.40 mm (Height)

9.00 mm (Thickness)



Lead pitch : 1.27 mm

•

Single 3.3 V (±0.3 V)

•

High speed



Access time: t

RAC

= 50 ns/60 ns (max)



Access time: t

CAC

= 13 ns/15 ns (max)

•

Low power dissipation



Active mode: 7.13 W/6.48 W (max)



Standby mode (TTL): 129.6 mW (max)



Standby mode (CMOS): 32.4 mW (max)

•

JEDEC standard outline unbuffered 8-byte DIMM

•

EDO page mode capability

•

8192 refresh cycles: 64 ms

•

3 variations of refresh



RAS-only

refresh



CAS-before-RAS

refresh

HB56UW1672EJN-5相似产品对比

	HB56UW1672EJN-5	HB56UW1672EJN-6
描述	EDO DRAM Module, 16MX4, 50ns, CMOS, DUAL LEAD OUT, SOCKET TYPE, DIMM-168	EDO DRAM Module, 16MX4, 60ns, CMOS, DUAL LEAD OUT, SOCKET TYPE, DIMM-168
零件包装代码	DIMM	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168
针数	168	168
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间	50 ns	60 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH; WD-MAX; SEATED HGT-NOM	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH; WD-MAX; SEATED HGT-NOM
I/O 类型	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168
长度	133.35 mm	133.35 mm
内存密度	67108864 bit	67108864 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE
内存宽度	4	4
功能数量	1	1
端口数量	1	1
端子数量	168	168
字数	16777216 words	16777216 words
字数代码	16000000	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C
组织	16MX4	16MX4
输出特性	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM168	DIMM168
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192
座面最大高度	25.4 mm	25.4 mm
最大待机电流	0.009 A	0.009 A
最大压摆率	1.98 mA	1.8 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO
技术	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL
宽度	9 mm	9 mm

HB56UW1672EJN-5

HB56UW1672EJN-5概述

HB56UW1672EJN-5规格参数

文档预览

HB56UW1672EJN-5相似产品对比

推荐资源