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IDT71256L35L28BG8

产品描述Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, CQCC28, LCC-28
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文件大小254KB,共9页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准  
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IDT71256L35L28BG8概述

Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, CQCC28, LCC-28

IDT71256L35L28BG8规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码QLCC
包装说明LCC-28
针数28
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间35 ns
JESD-30 代码R-CQCC-N28
JESD-609代码e3
长度13.97 mm
内存密度262144 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织32KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码QCCN
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.048 mm
最小待机电流2 V
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层MATTE TIN
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度8.89 mm
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