Multi-Port SRAM, 1KX8, 45ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, |
针数 | 48 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
最长访问时间 | 45 ns |
其他特性 | INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN |
JESD-30 代码 | R-CDIP-T48 |
JESD-609代码 | e3 |
长度 | 60.96 mm |
内存密度 | 8192 bit |
内存集成电路类型 | MULTI-PORT SRAM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 2 |
端子数量 | 48 |
字数 | 1024 words |
字数代码 | 1000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 1KX8 |
输出特性 | 3-STATE |
可输出 | YES |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | DIP |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 4.826 mm |
最小待机电流 | 2 V |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 |
宽度 | 15.24 mm |
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