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CD5358D

产品描述Zener Diode, 22V V(Z), 1%, 5W, Silicon, Unidirectional, DIE-1
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小91KB,共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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CD5358D概述

Zener Diode, 22V V(Z), 1%, 5W, Silicon, Unidirectional, DIE-1

CD5358D规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码DIE
包装说明DIE-1
针数1
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗3.5 Ω
JESD-30 代码S-XUUC-N1
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量1
最高工作温度200 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散5 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压22 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子面层TIN LEAD
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差1%
工作测试电流50 mA

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• ZENER DIODE CHIPS
• ALL JUNCTIONS COMPLETELY PROTECTED WITH SILICON DIOXIDE
• ELECTRICALLY EQUIVALENT TO 1N5333B THRU 1N5379B
• 5 WATT CAPABILITY WITH PROPER HEAT SINKING
• COMPATIBLE WITH ALL WIRE BONDING AND DIE ATTACH TECHNIQUES,
WITH THE EXCEPTION OF SOLDER REFLOW
CD5333B
thru
CD5379B
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
@ 25°C, unless otherwise speci½ed
58 MILS
NOMINAL
ZENER
VOLTAGE
VZ
(Note 1)
V
CD5333B
CD5334B
CD5335B
CD5336B
CD5337B
CD5338B
CD5339B
CD5340B
CD5341B
CD5342B
CD5343B
CD5344B
CD5345B
CD5346B
CD5347B
CD5348B
CD5349B
CD5350B
CD5351B
CD5352B
CD5353B
CD5354B
CD5355B
CD5356B
CD5357B
CD5358B
CD5359B
CD5360B
CD5361B
CD5362B
CD5363B
CD5364B
CD5365B
CD5366B
CD5367B
CD5368B
CD5369B
CD5370B
CD5371B
CD5372B
CD5373B
CD5374B
CD5375B
CD5376B
CD5377B
CD5378B
CD5379B
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.0
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
47
51
56
60
62
68
75
82
87
91
100
110
MAXIMUM
ZENER
IMPEDANCE
ZZT
(Note 2)
OHMS
3.0
2.5
2.0
2.0
2.0
1.5
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
1.5
2.0
2.0
2.0
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
3.0
3.0
3.5
3.5
4.0
5.0
6.0
8.0
10
11
14
20
25
27
35
40
42
44
45
65
75
75
90
125
MAXIMUM
ZENER KNEE
IMPEDANCE
ZZK @ 1.0 mA
(Note 2)
OHMS
400
500
500
500
450
400
400
300
200
200
200
200
200
150
125
125
125
100
75
75
75
75
75
75
75
75
100
110
120
130
140
150
160
170
190
210
230
280
350
400
500
620
720
760
760
800
1000
64 MILS
TYPE
NUMBER
mA
380
350
320
290
260
240
220
200
200
175
175
150
150
150
125
125
100
100
100
75
75
70
65
65
65
50
50
50
50
50
40
40
30
30
30
25
25
20
20
20
20
20
15
15
15
12
12
1.0
1.0
1.0
1.0
10
10
10
10
7.5
5.0
5.0
2.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0L5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
1.0
2.0
3.0
3.0
5.2
5.7
6.2
6.6
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
10.6
11.5
12.2
12.9
13.7
14.4
15.2
16.7
18.2
19
20.6
21.2
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
45.5
47.1
51.7
56
62.2
66
69.2
76
83.6
BACKSIDE IS CATHODE
FIGURE 1
DESIGN DATA
METALLIZATION:
Top: (Anode)............... ....Al
Back: (Cathode).......... ...Au
AL THICKNESS.......
....25,000
Å
Min
GOLD THICKNESS........4,000
Å
Min
CHIP THICKNESS..................10
Mils
CIRCUIT LAYOUT DATA:
For Zener operation, cathode
must be operated positive with
respect to anode.
TOLERANCES:
ALL
Dimensions + 2 mils
NOTES ON PAGE 162
6 LAKE STREET, LAWRENCE,
PHONE (978) 620-2600
WEBSITE: http://www.microsemi.com
M A S S A C H U S E T T S 01841
FAX (978) 689-0803
207
58 MILS
300
150
50
10
5.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
64 MILS
TEST
CURRENT
lZT
MAXIMUM REVERSE
CURRENT
lR @ VR
µ
A
VOLTS
保护RS-485通信网络不受有害EMC事件影响
内容提要 在实际工业和仪器仪表(I&I)应用中,RS-485接口链路需要在恶劣电磁环境下工作。雷击、静电放电和其他电磁现象引起的大瞬变电压可能损坏通信端口。为了确保这些数据端口能够在最终安装 ......
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