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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> IS41LV4105-35J
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IS41LV4105-35J

产品描述Fast Page DRAM, 1MX4, 35ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, SOJ-20
产品类别存储    存储   
文件大小114KB，共16页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
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IS41LV4105-35J概述

Fast Page DRAM, 1MX4, 35ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, SOJ-20

IS41LV4105-35J规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码SOJ
包装说明0.300 INCH, SOJ-20
针数20
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE
最长访问时间35 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码R-PDSO-J20
JESD-609代码e0
长度17.145 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量20
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.556 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm

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IS41C4105
IS41LV4105
1Meg x 4 (4-MBIT) DYNAMIC RAM
WITH FAST PAGE MODE
FEATURES
•
•
•
•
Fast access and cycle time
TTL compatible inputs and outputs
Refresh Interval: 1024 cycles/16 ms
Refresh Mode:
RAS-Only, CAS-before-RAS
(CBR), and Hidden
• JEDEC standard pinout
• Single power supply:
-- 5V ± 10% (IS41C4105)
-- 3.3V ± 10% (IS41LV4105)
• Industrial temperature available
ISSI
DESCRIPTION
®
PRELIMINARY INFORMATION
SEPTEMBER 2001
The
ISSI
IS41C4105 and IS41LV4105 are 1,048,576 x 4-bit
high-performance CMOS Dynamic Random Access
Memories. Fast Page Mode allows 1024 random accesses
within a single row with access cycle time as short as 12
ns per 4-bit word.
These features make the IS41C4105 and the IS41LV4105
ideally suited for high band-width graphics, digital signal
processing, high-performance computing systems, and
peripheral applications.
The IS41C4105 and IS41LV4105 are available in a
20-pin, 300-mil SOJ package.
KEY TIMING PARAMETERS
Parameter
Max.
RAS
Access Time (t
RAC
)
Max.
CAS
Access Time (t
CAC
)
Max. Column Address Access Time (t
AA
)
Min. Fast Page Mode Cycle Time (t
PC
)
Min. Read/Write Cycle Time (t
RC
)
-35
35
10
18
12
60
-60
60
15
30
25
110
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
PIN CONFIGURATION
20-Pin SOJ
I/O0
I/O1
WE
RAS
A9
1
2
3
4
5
20
19
18
17
16
GND
I/O3
I/O2
CAS
OE
PIN DESCRIPTIONS
A0-A9
I/O0-I/O3
WE
OE
RAS
CAS
V
CC
GND
NC
Address Inputs
Data Inputs/Outputs
Write Enable
Output Enable
Row Address Strobe
Column Address Strobe
Power
Ground
No Connection
A0
A1
A2
A3
Vcc
6
7
8
9
10
15
14
13
12
11
A8
A7
A6
A5
A4
This document contains PRELIMINARY INFORMATION data. ISSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the
best possible product. We assume no responsibility for any errors which may appear in this publication. © Copyright 2001, Integrated Silicon Solution, Inc.
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
PRELIMINARY INFORMATION
09/11/01
Rev. 00A
1

IS41LV4105-35J相似产品对比

IS41LV4105-35J IS41C4105-35J IS41C4105-35JI IS41C4105-60J IS41C4105-60JI IS41LV4105-60JI IS41LV4105-60J
描述 Fast Page DRAM, 1MX4, 35ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, SOJ-20 Fast Page DRAM, 1MX4, 35ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, SOJ-20 Fast Page DRAM, 1MX4, 35ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, SOJ-20 Fast Page DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, SOJ-20 Fast Page DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, SOJ-20 Fast Page DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, SOJ-20 Fast Page DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, SOJ-20
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码 SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ
包装说明 0.300 INCH, SOJ-20 0.300 INCH, SOJ-20 0.300 INCH, SOJ-20 0.300 INCH, SOJ-20 0.300 INCH, SOJ-20 0.300 INCH, SOJ-20 0.300 INCH, SOJ-20
针数 20 20 20 20 20 20 20
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE
最长访问时间 35 ns 35 ns 35 ns 60 ns 60 ns 60 ns 60 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码 R-PDSO-J20 R-PDSO-J20 R-PDSO-J20 R-PDSO-J20 R-PDSO-J20 R-PDSO-J20 R-PDSO-J20
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 17.145 mm 17.145 mm 17.145 mm 17.145 mm 17.145 mm 17.145 mm 17.145 mm
内存密度 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM
内存宽度 4 4 4 4 4 4 4
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 20 20 20 20 20 20 20
字数 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 85 °C 70 °C 85 °C 85 °C 70 °C
组织 1MX4 1MX4 1MX4 1MX4 1MX4 1MX4 1MX4
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 3.556 mm 3.556 mm 3.556 mm 3.556 mm 3.556 mm 3.556 mm 3.556 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 5 V 5 V 5 V 5 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm

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