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IS42VM16400G-10BLE

产品描述Synchronous DRAM, 4MX16, 8ns, CMOS, PBGA54, LEAD FREE, FBGA-54
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文件大小512KB,共27页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
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IS42VM16400G-10BLE概述

Synchronous DRAM, 4MX16, 8ns, CMOS, PBGA54, LEAD FREE, FBGA-54

IS42VM16400G-10BLE规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA,
针数54
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间8 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码S-PBGA-B54
JESD-609代码e1
长度8 mm
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量54
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-25 °C
组织4MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.65 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度8 mm

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IS42VM16400G
1M
x
16Bits
x
4Banks Low Power Synchronous DRAM
Description
These IS42VM16400G are Low Power 67,108,864 bits CMOS Synchronous DRAM organized as 4 banks of 1,048,576 words x 16 bits.
These products are offering fully synchronous operation and are referenced to a positive edge of the clock. All inputs and outputs are
synchronized with the rising edge of the clock input. The data paths are internally pipelined to achieve very high bandwidth. All input
and output voltage levels are compatible with LVCMOS.
Features
JEDEC standard 1.8V power supply.
Auto refresh and self refresh.
All pins are compatible with LVCMOS interface.
4K refresh cycle / 64ms.
Programmable Burst Length and Burst Type.
- 1, 2, 4, 8 or Full Page for Sequential Burst.
- 4 or 8 for Interleave Burst.
Programmable CAS Latency : 2,3 clocks.
Programmable Driver Strength Control
- Full Strength or 1/2, 1/4 of Full Strength
Deep Power Down Mode.
All inputs and outputs referenced to the positive edge of the
system clock.
Data mask function by DQM.
Internal 4 banks operation.
Burst Read Single Write operation.
Special Function Support.
- PASR(Partial Array Self Refresh)
- Auto TCSR(Temperature Compensated Self Refresh)
Automatic precharge, includes CONCURRENT Auto Precharge
Mode and controlled Precharge.
Copyright © 2009 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its
products at any time without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services
described herein. Customers are advised to obtain the latest version of this device specification before relying on any published information
and before placing orders for products.
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IS42VM16400G-10BLE相似产品对比

IS42VM16400G-10BLE IS42VM16400G-6BLE IS42VM16400G-75BLE
描述 Synchronous DRAM, 4MX16, 8ns, CMOS, PBGA54, LEAD FREE, FBGA-54 Synchronous DRAM, 4MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA54, LEAD FREE, FBGA-54 Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, LEAD FREE, FBGA-54
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码 BGA BGA BGA
包装说明 TFBGA, TFBGA, TFBGA,
针数 54 54 54
Reach Compliance Code compliant compli compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 8 ns 5.5 ns 6 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 S-PBGA-B54 S-PBGA-B54 S-PBGA-B54
JESD-609代码 e1 e1 e1
长度 8 mm 8 mm 8 mm
内存密度 67108864 bit 67108864 bi 67108864 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 16 16 16
功能数量 1 1 1
端口数量 1 1 1
端子数量 54 54 54
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -25 °C -25 °C -25 °C
组织 4MX16 4MX16 4MX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA TFBGA TFBGA
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
自我刷新 YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 1.95 V 1.95 V 1.95 V
最小供电电压 (Vsup) 1.65 V 1.65 V 1.65 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 OTHER OTHER OTHER
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式 BALL BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40 40
宽度 8 mm 8 mm 8 mm
项目剩余TMS30LF2407。360片有需要的可联系!
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