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CBR4M-L010LEADFREE

产品描述Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 4A, 100V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小474KB,共2页
制造商Central Semiconductor
标准  
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CBR4M-L010LEADFREE概述

Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 4A, 100V V(RRM), Silicon,

CBR4M-L010LEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明R-PSFM-W4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PSFM-W4
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流300 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最大输出电流4 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN (315)
端子形式WIRE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间10

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CBR4M-L010 SERIES
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
SILICON BRIDGE RECTIFIERS
4.0 AMP, 100 THRU 1000 VOLT
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CBR4M-L010 series
types are silicon, single phase, full wave bridge rectifiers
designed for general purpose, high current applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
CASE DM
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL -L010
Peak Repetitive Reverse Voltage
VRRM
100
DC Blocking Voltage
VR
100
RMS Reverse Voltage
Average Forward Current
Average Forward Current (TC=100°C)
Peak Forward Surge Current
Operating and Storage
Junction Temperature
Thermal Resistance
ELECTRICAL
SYMBOL
IR
VF
VR(RMS)
IO
IO
IFSM
TJ, Tstg
Θ
JC
70
-L020
200
200
140
CBR4M
-L040 -L060
400
600
400
280
4.0
8.0
200
-65 to +150
3.5
600
420
-L080
800
800
560
-L100
1000
1000
700
UNITS
V
V
V
A
A
A
°C
°C/W
CHARACTERISTICS PER DIODE:
(TA=25°C unless otherwise noted)
TEST CONDITIONS
MIN
MAX
VR=Rated VRRM
10
IF=6.28A
1.1
UNITS
μA
V
R4 (11-October 2013)

 
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