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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> BD684
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BD684

产品描述Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小71KB，共2页
制造商Central Semiconductor
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BD684概述

Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PLASTIC PACKAGE-3

BD684规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
零件包装代码SIP
包装说明PLASTIC PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)4 A
集电极-发射极最大电压120 V
配置DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)750
JEDEC-95代码TO-126
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)40 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

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DATA SHEET
BD676 SERIES
PNP SILICON
POWER DARLINGTON TRANSISTOR
TO-126 CASE
DESCRIPTION
The Central Semiconductor BD676 Series are PNP Silicon Darlington Power Transistors, available in the plastic TO-126
package, and are designed for audio and video output applications.
MAXIMUM RATINGS (TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
PD
TJ,Tstg
ΘJ
C
ΘJ
A
BD676 BD678 BD680 BD682 BD684
45
45
5
60
60
5
80
80
5
4
6
100
40
-65 to +150
3.12
100
100
100
5
120
120
5
UNITS
V
V
V
A
A
mA
W
°C
°C/W
°C/W
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Peak Collector Current
Base Current
Power Dissipation
Operating and Storage
Junction Temperature
Thermal Resistance
Thermal Resistance
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
ICBO
ICBO
ICEO
IEBO
BVCEO
VCE(SAT)
VBEON
hFE
hfe
fhfe
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
0.2
2.0
0.5
5.0
2.5
2.5
UNITS
mA
mA
mA
mA
V
V
V
VCB=Rated VCBO
VCB=0.6 Rated VCBO, TC=150°C
VCE=½ Rated VCEO
VEB=5.0V
IC=50mA
RATED VCEO
IC=1.5A, IB=6.0mA (BD676; IC=2.0A)
VCE=3.0V, IC=1.5A (BD676; IC=2.0A)
VCE=3.0V, IC=1.5A (BD676; IC=2.0A)
750
VCE=3.0V, IC=1.5A, f=1.0MHz (BD676; IC=2.0A)
10
VCE=3.0V, IC=1.5A, (BD676; IC=2.0A)
60
kHz
(SEE REVERSE SIDE)
R0

BD684相似产品对比

BD684 BD678 BD680 BD676
描述 Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PLASTIC PACKAGE-3 Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PLASTIC PACKAGE-3 Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PLASTIC PACKAGE-3 Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PLASTIC PACKAGE-3
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor
零件包装代码 SIP SIP SIP SIP
包装说明 PLASTIC PACKAGE-3 PLASTIC PACKAGE-3 PLASTIC PACKAGE-3 PLASTIC PACKAGE-3
针数 3 3 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown not_compliant _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 4 A 4 A 4 A 4 A
集电极-发射极最大电压 120 V 60 V 80 V 45 V
配置 DARLINGTON DARLINGTON DARLINGTON DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE) 750 750 750 750
JEDEC-95代码 TO-126 TO-126 TO-126 TO-126
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 40 W 40 W 40 W 40 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) - 1 MHz 1 MHz 1 MHz

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