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MV1666

产品描述Variable Capacitance Diode, 330pF C(T), Silicon, Abrupt, DO-7, GLASS PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小33KB,共1页
制造商Cobham Semiconductor Solutions
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MV1666概述

Variable Capacitance Diode, 330pF C(T), Silicon, Abrupt, DO-7, GLASS PACKAGE-2

MV1666规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Cobham Semiconductor Solutions
零件包装代码DO-7
包装说明O-LALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管电容容差10%
标称二极管电容330 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JEDEC-95代码DO-7
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.475 W
认证状态Not Qualified
最小质量因数100
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
变容二极管分类ABRUPT

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ABRUPT VARACTOR DIODES
MV1652 - MV1666
PART
NUMBER
MV1652
MV1654
MV1656
MV1658
MV1660
MV1662
MV1664
MV1666
C
T
DIODE CAPACITANCE
Vr = 4 Vdc, f = 1 MHz
(pF)
MIN
NOM
MAX
108
120
135
132
150
165
162
180
198
180
200
220
198
220
242
225
250
275
243
270
300
297
330
363
Q, QUALITY FACTOR
CAPACITANCE RATIO
MIN REVERSE
Vr = 4 Vdc
TYPICAL
VOLTAGE
f = 20 MHz
C•2V / C•20V
C•2V / C•15V
Ir = 10 µA
MIN
Vdc
250
2.6
20
250
2.6
20
200
2.6
20
200
2.6
20
150
2.6
20
150
2.3
15
100
2.3
15
100
2.3
15
Package Style
DC Power Dissipation
Max Reverse Current (I
R
)
Max Reverse Current (I
R
)
Operating Temperature (Topr)
Storage Temperature (Tstg)
Junction Temperature
@ T
A
= 25°C
@ 15 Vdc
@ 10 Vdc
DO-7
475 mW
0.1 µA (MV1652 - MV1660)
0.1 µA (MV1662 - MV1666)
-65 to + 150° C
-65 to + 200° C
175° C
P.O. BOX 609
ROCKPORT, MAINE 04856
207-236-6076
FAX 207-236-9558

MV1666相似产品对比

MV1666 MV1654 MV1662 MV1656 MV1660 MV1652 MV1664 MV1658
描述 Variable Capacitance Diode, 330pF C(T), Silicon, Abrupt, DO-7, GLASS PACKAGE-2 Variable Capacitance Diode, 150pF C(T), Silicon, Abrupt, DO-7, GLASS PACKAGE-2 Variable Capacitance Diode, 250pF C(T), Silicon, Abrupt, DO-7, GLASS PACKAGE-2 Variable Capacitance Diode, 180pF C(T), Silicon, Abrupt, DO-7, GLASS PACKAGE-2 Variable Capacitance Diode, 220pF C(T), Silicon, Abrupt, DO-7, GLASS PACKAGE-2 Variable Capacitance Diode, 120pF C(T), Silicon, Abrupt, DO-7, GLASS PACKAGE-2 Variable Capacitance Diode, 270pF C(T), Silicon, Abrupt, DO-7, GLASS PACKAGE-2 Variable Capacitance Diode, 200pF C(T), Silicon, Abrupt, DO-7, GLASS PACKAGE-2
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Cobham Semiconductor Solutions Cobham Semiconductor Solutions Cobham Semiconductor Solutions Cobham Semiconductor Solutions Cobham Semiconductor Solutions Cobham Semiconductor Solutions Cobham Semiconductor Solutions Cobham Semiconductor Solutions
零件包装代码 DO-7 DO-7 DO-7 DO-7 DO-7 DO-7 DO-7 DO-7
包装说明 O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2
针数 2 2 2 2 2 2 2 2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管电容容差 10% 11.11% 10% 10% 10% 11.11% 10.5% 10%
标称二极管电容 330 pF 150 pF 250 pF 180 pF 220 pF 120 pF 270 pF 200 pF
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 VARIABLE CAPACITANCE DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JEDEC-95代码 DO-7 DO-7 DO-7 DO-7 DO-7 DO-7 DO-7 DO-7
JESD-30 代码 O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2 2 2 2
封装主体材料 GLASS GLASS GLASS GLASS GLASS GLASS GLASS GLASS
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大功率耗散 0.475 W 0.475 W 0.475 W 0.475 W 0.475 W 0.475 W 0.475 W 0.475 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最小质量因数 100 250 150 200 150 250 100 200
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
变容二极管分类 ABRUPT ABRUPT ABRUPT ABRUPT ABRUPT ABRUPT ABRUPT ABRUPT
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