IDT7M7005S25CH概述

Memory Circuit, EEPROM+SRAM, 64KX8, CMOS, CPGA66, SIDE BRAZED, CERAMIC, HIP-66

IDT7M7005S25CH规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	PGA
包装说明	SIDE BRAZED, CERAMIC, HIP-66
针数	66
Reach Compliance Code	not_compliant
最长访问时间	25 ns
其他特性	EEPROM CONFIGURED AS 64K X 8; SRAM CAN BE CONFIGURED AS 32K X 16
JESD-30 代码	S-CPGA-P66
JESD-609代码	e0
内存密度	524288 bit
内存集成电路类型	MEMORY CIRCUIT
内存宽度	8
混合内存类型	EEPROM+SRAM
功能数量	1
端子数量	66
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	64KX8
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	PGA
封装等效代码	PGA66,11X11
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	6.223 mm
最大待机电流	0.046 A
最大压摆率	0.56 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	PIN/PEG
端子节距	2.54 mm
端子位置	PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ