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CD5533DE3

产品描述Zener Diode, 13V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DIE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小126KB,共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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CD5533DE3概述

Zener Diode, 13V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DIE-2

CD5533DE3规格参数

参数名称属性值
厂商名称Microsemi
包装说明S-XXUC-N2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JESD-30 代码S-XXUC-N2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式UNCASED CHIP
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
标称参考电压13 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子形式NO LEAD
端子位置UNSPECIFIED
最大电压容差1%
工作测试电流1 mA

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• 1N5518B THRU 1N5546B AVAILABLE IN
JANHC AND JANKC
PER MIL-PRF-19500/437
• ZENER DIODE CHIPS
• ALL JUNCTIONS COMPLETELY PROTECTED WITH SILICON DIOXIDE
• ELECTRICALLY EQUIVALENT TO 1N5518B THRU 1N5546B
• 0.5 WATT CAPABILITY WITH PROPER HEAT SINKING
• COMPATIBLE WITH ALL WIRE BONDING AND DIE ATTACH TECHNIQUES,
WITH THE EXCEPTION OF SOLDER REFLOW
CD5518B
thru
CD5546B
MAXIMUM RATINGS
Operating Temperature: -65°C to +175°C
Storage Temperature: -65°C to +175°C
Forward Voltage @ 200 mA: 1.5 Volts Maximum
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
@ 25°C, unless otherwise speci½ed
JEDEC
TYPE
NUMBER
NOMINAL
ZENER
VOLTAGE
VZ @ lZT
VOLTS
(Note 1)
CD5518B
CD5519B
CD5520B
CD5521B
CD5522B
CD5523B
CD5524B
CD5525B
CD5526B
CD5527B
CD5528B
CD5529B
CD5530B
CD5531B
CD5532B
CD5533B
CD5534B
CD5535B
CD5536B
CD5537B
CD5538B
CD5539B
CD5540B
CD5541B
CD5542B
CD5543B
CD5544B
CD5545B
CD5546B
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
19.0
20.0
22.0
24.0
25.0
28.0
30.0
33.0
MAX. ZENER
IMPEDANCE
ZZT @ lZT
OHMS
(Note 2)
26
24
22
18
22
26
30
30
30
35
40
45
60
80
90
90
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
5.0
3.0
1.0
3.0
2.0
2.0
2.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.1
0.05
0.05
0.05
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
MAX. REVERSE
LEAKAGE CURRENT
lR
µ
Adc
23 MILS
15 MILS
TEST
CURRENT
lZT
mAdc
20
20
20
20
10
5.0
3.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
REGULATION
FACTOR
³VZ
VOLTS
(Note 3)
0.90
0.90
0.90
0.75
0.60
0.65
0.30
0.20
0.10
0.05
0.05
0.05
0.10
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
0.45
0.50
LOW
VZ
CURRENT
lZL
mAdc
2.0
2.0
2.0
2.0
1.0
0.25
0.25
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.10
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
V
R
VOLTS
1.0
1.0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.5
5.0
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
9.9
10.8
11.7
12.6
13.5
14.4
15.3
16.2
17.1
18.0
19.8
21.6
22.4
25.2
27.0
29.7
BACKSIDE IS CATHODE
DESIGN DATA
METALLIZATION:
Top: (Anode)......................Al
Back: (Cathode)............ ...Au
AL THICKNESS............25,000
Å
Min
GOLD THICKNESS...
.....4,000
Å
Min
CHIP THICKNESS..............
....10 Mils
CIRCUIT LAYOUT DATA:
For Zener operation, cathode
must be operated positive with
respect to anode.
TOLERANCES:
ALL Dimensions
+ 2 mils, Except Anode Pad Where
Tolerance is + 0.1 mils.
NOTE 1
Suffix “B” voltage range equals nominal Zener voltage + 5%. Suffix “A” equals
+ 10%. No Suffix equals + 20%. Zener voltage is read using a pulse
measurement, 10 milliseconds maximum. "C" suffix = + 2% and "D" suffix = +1%.
NOTE 2
Zener impedance is derived by superimposing on lZT A 60Hz rms a.c.
current equal to 10% of lZT.
NOTE 3
³VZ is the maximum difference between VZ @ 1ZT and VZ at 1ZL measured
with the device junction in thermal equilibrium at an ambient temperature of
+25° + 3°C.
6 LAKE STREET, LAWRENCE, MASSACHUSETTS 01841
PHONE (978) 620-2600
FAX (978) 689-0803
WEBSITE: http://www.microsemi.com
209
15 MILS
23 MILS
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