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CD5352DE3

产品描述Zener Diode, 15V V(Z), 1%, 5W, Silicon, Unidirectional, DIE-1
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小91KB,共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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CD5352DE3概述

Zener Diode, 15V V(Z), 1%, 5W, Silicon, Unidirectional, DIE-1

CD5352DE3规格参数

参数名称属性值
Objectid8072926887
包装说明S-XUUC-N1
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JESD-30 代码S-XUUC-N1
元件数量1
端子数量1
最高工作温度200 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式UNCASED CHIP
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散5 W
标称参考电压15 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
最大电压容差1%
工作测试电流75 mA

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• ZENER DIODE CHIPS
• ALL JUNCTIONS COMPLETELY PROTECTED WITH SILICON DIOXIDE
• ELECTRICALLY EQUIVALENT TO 1N5333B THRU 1N5379B
• 5 WATT CAPABILITY WITH PROPER HEAT SINKING
• COMPATIBLE WITH ALL WIRE BONDING AND DIE ATTACH TECHNIQUES,
WITH THE EXCEPTION OF SOLDER REFLOW
CD5333B
thru
CD5379B
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
@ 25°C, unless otherwise speci½ed
58 MILS
NOMINAL
ZENER
VOLTAGE
VZ
(Note 1)
V
CD5333B
CD5334B
CD5335B
CD5336B
CD5337B
CD5338B
CD5339B
CD5340B
CD5341B
CD5342B
CD5343B
CD5344B
CD5345B
CD5346B
CD5347B
CD5348B
CD5349B
CD5350B
CD5351B
CD5352B
CD5353B
CD5354B
CD5355B
CD5356B
CD5357B
CD5358B
CD5359B
CD5360B
CD5361B
CD5362B
CD5363B
CD5364B
CD5365B
CD5366B
CD5367B
CD5368B
CD5369B
CD5370B
CD5371B
CD5372B
CD5373B
CD5374B
CD5375B
CD5376B
CD5377B
CD5378B
CD5379B
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.0
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
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30
33
36
39
43
47
51
56
60
62
68
75
82
87
91
100
110
MAXIMUM
ZENER
IMPEDANCE
ZZT
(Note 2)
OHMS
3.0
2.5
2.0
2.0
2.0
1.5
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
1.5
2.0
2.0
2.0
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
3.0
3.0
3.5
3.5
4.0
5.0
6.0
8.0
10
11
14
20
25
27
35
40
42
44
45
65
75
75
90
125
MAXIMUM
ZENER KNEE
IMPEDANCE
ZZK @ 1.0 mA
(Note 2)
OHMS
400
500
500
500
450
400
400
300
200
200
200
200
200
150
125
125
125
100
75
75
75
75
75
75
75
75
100
110
120
130
140
150
160
170
190
210
230
280
350
400
500
620
720
760
760
800
1000
64 MILS
TYPE
NUMBER
mA
380
350
320
290
260
240
220
200
200
175
175
150
150
150
125
125
100
100
100
75
75
70
65
65
65
50
50
50
50
50
40
40
30
30
30
25
25
20
20
20
20
20
15
15
15
12
12
1.0
1.0
1.0
1.0
10
10
10
10
7.5
5.0
5.0
2.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0L5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
1.0
2.0
3.0
3.0
5.2
5.7
6.2
6.6
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
10.6
11.5
12.2
12.9
13.7
14.4
15.2
16.7
18.2
19
20.6
21.2
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
45.5
47.1
51.7
56
62.2
66
69.2
76
83.6
BACKSIDE IS CATHODE
FIGURE 1
DESIGN DATA
METALLIZATION:
Top: (Anode)............... ....Al
Back: (Cathode).......... ...Au
AL THICKNESS.......
....25,000
Å
Min
GOLD THICKNESS........4,000
Å
Min
CHIP THICKNESS..................10
Mils
CIRCUIT LAYOUT DATA:
For Zener operation, cathode
must be operated positive with
respect to anode.
TOLERANCES:
ALL
Dimensions + 2 mils
NOTES ON PAGE 162
6 LAKE STREET, LAWRENCE,
PHONE (978) 620-2600
WEBSITE: http://www.microsemi.com
M A S S A C H U S E T T S 01841
FAX (978) 689-0803
207
58 MILS
300
150
50
10
5.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
64 MILS
TEST
CURRENT
lZT
MAXIMUM REVERSE
CURRENT
lR @ VR
µ
A
VOLTS
2.4G无线LED内容更新解决方案
2.4G无线LED内容更新解决方案 一,方案概述 基于2.4G ISM频段的双向无线通讯传输方案.其中2.4G RF IC UM2455采用Turbo-mode 625kbps工作模式,可以满足较大的数据量要求。方案是有一个含RF的U ......
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