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5962-9161207MXX

产品描述Standard SRAM, 256KX4, 20ns, CMOS, DIP-28
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文件大小928KB,共30页
制造商EDI [Electronic devices inc.]
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5962-9161207MXX概述

Standard SRAM, 256KX4, 20ns, CMOS, DIP-28

5962-9161207MXX规格参数

参数名称属性值
厂商名称EDI [Electronic devices inc.]
包装说明DIP-28
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间20 ns
JESD-30 代码R-XDIP-T28
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度4
功能数量1
端子数量28
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织256KX4
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.94 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
宽度10 mm
Base Number Matches1

5962-9161207MXX相似产品对比

5962-9161207MXX 5962-9161207MXA 5962-9161208MXX
描述 Standard SRAM, 256KX4, 20ns, CMOS, DIP-28 Standard SRAM, 256KX4, 20ns, CMOS, DIP-28 Standard SRAM, 256KX4, 20ns, CMOS, DIP-28
包装说明 DIP-28 DIP-28 DIP-28
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
最长访问时间 20 ns 20 ns 20 ns
JESD-30 代码 R-XDIP-T28 R-XDIP-T28 R-XDIP-T28
内存密度 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 4 4 4
功能数量 1 1 1
端子数量 28 28 28
字数 262144 words 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000 256000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C
组织 256KX4 256KX4 256KX4
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIP DIP DIP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 3.94 mm 3.94 mm 3.94 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
宽度 10 mm 10 mm 10 mm
Base Number Matches 1 1 1
厂商名称 EDI [Electronic devices inc.] - EDI [Electronic devices inc.]

 
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