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IXSR45N120B

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS247, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小51KB,共2页
制造商IXYS
标准  
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IXSR45N120B概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS247, 3 PIN

IXSR45N120B规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IXYS
零件包装代码ISOPLUS
包装说明ISOPLUS247, 3 PIN
针数3
制造商包装代码ISOPLUS
Reach Compliance Codecompliant
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)70 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)1140 ns
标称接通时间 (ton)67 ns
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