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SB150

产品描述1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小21KB,共2页
制造商SynSemi
官网地址http://www.synsemi.com/
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SB150概述

1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL

SB150规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SynSemi
Reach Compliance Codeunknow
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.7 V
最大非重复峰值正向电流40 A
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大输出电流1 A
最大重复峰值反向电压50 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY

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SB120 - SB1B0
PRV : 20 - 100 Volts
I
O
: 1.0 Ampere
FEATURES :
*
*
*
*
*
*
*
High current capability
High surge current capability
High reliability
High efficiency
Low power loss
Low forward voltage drop
Low cost
SCHOTTKY BARRIER
RECTIFIER DIODES
DO - 41
1.00 (25.4)
MIN.
0.107 (2.74)
0.080 (2.03)
0.205 (5.20)
0.160 (4.10)
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
1.00 (25.4)
MIN.
MECHANICAL DATA :
* Case : DO-41 Molded plastic
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant
* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,
Method 208 guaranteed
* Polarity : Color band denotes cathode end
* Mounting position : Any
* Weight : 0.312 gram
Dimensions in inches and ( millimeters )
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25
°
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
RATING
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Current
0.375", 9.5mm Lead Length See Fig.1
Maximum Peak Forward Surge Current,
8.3ms single half sine wave Superimposed
on rated load (JEDEC Method) T
L
= 75°C
Maximum Forward Voltage at I
F
= 1.0 A (Note 2)
Maximum Reverse Current at
Rated DC Blocking Voltage (Note 1)
Typical Thermal Resistance (Note 2)
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Ta = 25
°C
Ta = 100
°C
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV
)
SB SB SB SB SB SB SB SB SB
UNIT
120 130 140 150 160 170 180 190 1B0
20
14
20
30
21
30
40
28
40
50
35
50
60
42
60
1.0
70
49
70
80
56
80
90
63
90
100
70
100
V
V
V
A
I
FSM
V
F
I
R
I
R(H)
R
θ
JL
T
J
T
STG
- 40 to + 125
10
0.5
40
0.7
0.5
5.0
15
- 65 to + 150
- 65 to + 150
0.79
A
V
mA
mA
°C/W
°C
°C
Notes :
(1) Pulse Test : Pulse W idth = 300
µs,
Duty Cycle = 2%.
(2) Thermal Resistance from junction to lead, PC board Mounting with 0.375" (9.5mm) Lead Lengths.
Page 1 of 2
Rev. 01 : January 10, 2004

SB150相似产品对比

SB150 SB120 SB130 SB160 SB180 SB1B0 SB170 SB190
描述 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL 1 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 80 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 70 V, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 90 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最大输出电流 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A
最大重复峰值反向电压 50 V 20 V 30 V 60 V 80 V 100 V 70 V 90 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY
厂商名称 SynSemi SynSemi - SynSemi SynSemi SynSemi SynSemi SynSemi
包装说明 - - - O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
其他特性 - - - HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
外壳连接 - - - ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
二极管元件材料 - - - SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
JEDEC-95代码 - - - DO-41 DO-41 DO-41 DO-41 DO-41
JESD-30 代码 - - - O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
端子数量 - - - 2 2 2 2 2
最低工作温度 - - - -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C
封装主体材料 - - - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - - - ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 - - - LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
端子形式 - - - WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 - - - AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
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