Standard SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, CDFP24, CERAMIC, FP-24
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) |
零件包装代码 | DFP |
包装说明 | CERAMIC, FP-24 |
针数 | 24 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
最长访问时间 | 55 ns |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-GDFP-F24 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 16384 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 24 |
字数 | 2048 words |
字数代码 | 2000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 2KX8 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码 | DFP |
封装等效代码 | FL24,.4 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLATPACK |
并行/串行 | PARALLEL |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
最大待机电流 | 0.02 A |
最小待机电流 | 4.2 V |
最大压摆率 | 0.12 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | FLAT |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
Base Number Matches | 1 |
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