OTP ROM, 512KX8, 250ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | AMD(超微) |
| 零件包装代码 | QFJ |
| 包装说明 | QCCJ, LDCC32,.5X.6 |
| 针数 | 32 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 250 ns |
| 其他特性 | EXPRESS |
| JESD-30 代码 | R-PQCC-J32 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 13.97 mm |
| 内存密度 | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型 | OTP ROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 524288 words |
| 字数代码 | 512000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 512KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ |
| 封装等效代码 | LDCC32,.5X.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 3.556 mm |
| 最大待机电流 | 0.0001 A |
| 最大压摆率 | 0.04 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 宽度 | 11.43 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| AM27X040-250JC | AM27X040-250JI | AM27X040-250PC | AM27X040-250PI | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | OTP ROM, 512KX8, 250ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | OTP ROM, 512KX8, 250ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | OTP ROM, 512KX8, 250ns, CMOS, PDIP32, PLASTIC, DIP-32 | OTP ROM, 512KX8, 250ns, CMOS, PDIP32, PLASTIC, DIP-32 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | AMD(超微) | AMD(超微) | AMD(超微) | AMD(超微) |
| 零件包装代码 | QFJ | QFJ | DIP | DIP |
| 包装说明 | QCCJ, LDCC32,.5X.6 | QCCJ, LDCC32,.5X.6 | DIP, DIP32,.6 | DIP, DIP32,.6 |
| 针数 | 32 | 32 | 32 | 32 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 250 ns | 250 ns | 250 ns | 250 ns |
| 其他特性 | EXPRESS | EXPRESS | EXPRESS | EXPRESS |
| JESD-30 代码 | R-PQCC-J32 | R-PQCC-J32 | R-PDIP-T32 | R-PDIP-T32 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 长度 | 13.97 mm | 13.97 mm | 42.164 mm | 42.164 mm |
| 内存密度 | 4194304 bit | 4194304 bit | 4194304 bit | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型 | OTP ROM | OTP ROM | OTP ROM | OTP ROM |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 32 | 32 | 32 | 32 |
| 字数 | 524288 words | 524288 words | 524288 words | 524288 words |
| 字数代码 | 512000 | 512000 | 512000 | 512000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 85 °C | 70 °C | 85 °C |
| 组织 | 512KX8 | 512KX8 | 512KX8 | 512KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ | QCCJ | DIP | DIP |
| 封装等效代码 | LDCC32,.5X.6 | LDCC32,.5X.6 | DIP32,.6 | DIP32,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | IN-LINE | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 3.556 mm | 3.556 mm | 5.715 mm | 5.715 mm |
| 最大待机电流 | 0.0001 A | 0.0001 A | 0.0001 A | 0.0001 A |
| 最大压摆率 | 0.04 mA | 0.04 mA | 0.04 mA | 0.04 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | YES | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | INDUSTRIAL | COMMERCIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | J BEND | J BEND | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | QUAD | QUAD | DUAL | DUAL |
| 宽度 | 11.43 mm | 11.43 mm | 15.24 mm | 15.24 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 |
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