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70V25S25JGI

产品描述Dual-Port SRAM, 8KX16, 25ns, CMOS, PQCC84, 1.150 X 1.150 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-84
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文件大小211KB,共25页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准
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70V25S25JGI概述

Dual-Port SRAM, 8KX16, 25ns, CMOS, PQCC84, 1.150 X 1.150 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-84

70V25S25JGI规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码LCC
包装说明QCCJ, LDCC84,1.2SQ
针数84
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间25 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PQCC-J84
JESD-609代码e3
长度29.3116 mm
内存密度131072 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度16
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量2
端子数量84
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织8KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC84,1.2SQ
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.572 mm
最大待机电流0.005 A
最小待机电流3 V
最大压摆率0.19 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度29.3116 mm
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