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IDT72V51253L6BB

产品描述FIFO, 128KX18, 3.7ns, Synchronous, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-256
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制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT72V51253L6BB概述

FIFO, 128KX18, 3.7ns, Synchronous, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-256

IDT72V51253L6BB规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码BGA
包装说明BGA, BGA256,16X16,40
针数256
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间3.7 ns
其他特性ALTERNATIVE MEMORY WIDTH:9-BIT
备用内存宽度9
最大时钟频率 (fCLK)166 MHz
周期时间6 ns
JESD-30 代码S-PBGA-B256
JESD-609代码e0
长度17 mm
内存密度2359296 bit
内存集成电路类型OTHER FIFO
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量256
字数131072 words
字数代码128000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX18
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA256,16X16,40
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.5 mm
最大待机电流0.01 A
最大压摆率0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)3.45 V
最小供电电压 (Vsup)3.15 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度17 mm
Base Number Matches1

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3.3V MULTI-QUEUE FLOW-CONTROL DEVICES
(4 QUEUES) 18 BIT WIDE CONFIGURATION
589,824 bits
1,179,648 bits
2,359,296 bits
IDT72V51233
IDT72V51243
IDT72V51253
FEATURES:
Choose from among the following memory density options:
IDT72V51233
Total Available Memory = 589,824 bits
IDT72V51243
Total Available Memory = 1,179,648 bits
IDT72V51253
Total Available Memory = 2,359,296 bits
Configurable from 1 to 4 Queues
Queues may be configured at master reset from the pool of
Total Available Memory in blocks of 512 x 18 or 1,024 x 9
Independent Read and Write access per queue
User programmable via serial port
Default multi-queue device configurations
-IDT72V51233: 8,192 x 18 x 4Q or 16,384 x 9 x 4Q
-IDT72V51243: 16,384 x 18 x 4Q or 32,768 x 9 x 4Q
-IDT72V51253: 32,768 x 18 x 4Q or 65,536 x 9 x 4Q
100% Bus Utilization, Read and Write on every clock cycle
166 MHz High speed operation (6ns cycle time)
3.7ns access time
Individual, Active queue flags (OV,
FF, PAE, PAF)
4 bit parallel flag status on both read and write ports
Provides continuous
PAE
and
PAF
status of up to 4 Queues
Global Bus Matching - (All Queues have same Input Bus Width
and Output Bus Width)
User Selectable Bus Matching Options:
- x18in to x18out
- x9in to x18out
- x18in to x9out
- x9in to x9out
FWFT mode of operation on read port
Partial Reset, clears data in single Queue
Expansion of up to 8 multi-queue devices in parallel is available
JTAG Functionality (Boundary Scan)
Available in a 256-pin PBGA, 1mm pitch, 17mm x 17mm
HIGH Performance submicron CMOS technology
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is available
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
MULTI-QUEUE FLOW-CONTROL DEVICE
READ CONTROL
WADEN
FSTR
WRADD
WEN
WCLK
5
WRITE CONTROL
RADEN
ESTR
6
Q
0
RDADD
REN
RCLK
OE
x9, x18
DATA IN
Din
Qout
x9, x18
DATA OUT
WRITE FLAGS
READ FLAGS
FF
PAF
PAFn
4
Q
3
OV
PAE
PAEn
4
5941 drw01
IDT and the IDT logo are registered trademarks of Integrated Device Technology, Inc.
COMMERCIAL AND INDUSTRIAL TEMPERATURE RANGES
1
2003
Integrated Device Technology, Inc. All rights reserved. Product specifications subject to change without notice.
JUNE 2003
DSC-5941/8

IDT72V51253L6BB相似产品对比

IDT72V51253L6BB IDT72V51233L6BB IDT72V51243L6BB
描述 FIFO, 128KX18, 3.7ns, Synchronous, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-256 FIFO, 32KX18, 3.7ns, Synchronous, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-256 FIFO, 64KX18, 3.7ns, Synchronous, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-256
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 BGA BGA BGA
包装说明 BGA, BGA256,16X16,40 17 X 17 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-256 17 X 17 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-256
针数 256 256 256
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 3.7 ns 3.7 ns 3.7 ns
其他特性 ALTERNATIVE MEMORY WIDTH:9-BIT ALTERNATIVE MEMORY WIDTH:9-BIT ALTERNATIVE MEMORY WIDTH:9-BIT
备用内存宽度 9 9 9
最大时钟频率 (fCLK) 166 MHz 166 MHz 166 MHz
周期时间 6 ns 6 ns 6 ns
JESD-30 代码 S-PBGA-B256 S-PBGA-B256 S-PBGA-B256
JESD-609代码 e0 e0 e0
长度 17 mm 17 mm 17 mm
内存密度 2359296 bit 589824 bit 1179648 bit
内存集成电路类型 OTHER FIFO OTHER FIFO OTHER FIFO
内存宽度 18 18 18
湿度敏感等级 3 3 3
功能数量 1 1 1
端子数量 256 256 256
字数 131072 words 32768 words 65536 words
字数代码 128000 32000 64000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C
组织 128KX18 32KX18 64KX18
可输出 YES YES YES
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 BGA BGA BGA
封装等效代码 BGA256,16X16,40 BGA256,16X16,40 BGA256,16X16,40
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 225 225 225
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 3.5 mm 3.5 mm 3.5 mm
最大待机电流 0.01 A 0.01 A 0.01 A
最大压摆率 0.1 mA 0.1 mA 0.1 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.45 V 3.45 V 3.45 V
最小供电电压 (Vsup) 3.15 V 3.15 V 3.15 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn63Pb37) Tin/Lead (Sn63Pb37) Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式 BALL BALL BALL
端子节距 1 mm 1 mm 1 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 20 20 20
宽度 17 mm 17 mm 17 mm
Base Number Matches 1 1 -
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