7134SA70CG,7134SA70CG pdf中文资料,7134SA70CG引脚图,7134SA70CG电路-Datasheet-电子工程世界

7134SA70CG: 产品描述Dual-Port SRAM, 4KX8, 70ns, CMOS, CDIP48, 0.620 X 2.430 INCH, 0.150 INCH HEIGHT, GREEN, CERAMIC, DIP-48; 产品类别存储存储; 文件大小121KB，共12页; 制造商IDT (Integrated Device Technology); 标准

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7134SA70CG概述

Dual-Port SRAM, 4KX8, 70ns, CMOS, CDIP48, 0.620 X 2.430 INCH, 0.150 INCH HEIGHT, GREEN, CERAMIC, DIP-48

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP48,.6
针数	48
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	70 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-CDIP-T48
JESD-609代码	e3
内存密度	32768 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	2
端子数量	48
字数	4096 words
字数代码	4000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP48,.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.015 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.24 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	MATTE TIN
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	20
Base Number Matches	1

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