64 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.208 INCH, PLASTIC, SOIC-8
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Microchip(微芯科技) |
零件包装代码 | SOIC |
包装说明 | SOP, SOP8,.3 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | 1000000 ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION > 200 YEARS |
最大时钟频率 (fCLK) | 2 MHz |
数据保留时间-最小值 | 200 |
耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
长度 | 5.28 mm |
内存密度 | 1024 bit |
内存集成电路类型 | EEPROM |
内存宽度 | 16 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
字数 | 64 words |
字数代码 | 64 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 64X16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP |
封装等效代码 | SOP8,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
并行/串行 | SERIAL |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 2.03 mm |
串行总线类型 | MICROWIRE |
最大待机电流 | 0.000001 A |
最大压摆率 | 0.0015 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | AUTOMOTIVE |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
宽度 | 5.207 mm |
最长写入周期时间 (tWC) | 2 ms |
写保护 | SOFTWARE |
Base Number Matches | 1 |
93C46BT-E/SM | 93C46BT-I/SM | 93C46B-I/SM | |
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描述 | 64 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.208 INCH, PLASTIC, SOIC-8 | 64 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.208 INCH, PLASTIC, SOIC-8 | 64 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.208 INCH, PLASTIC, SOIC-8 |
厂商名称 | Microchip(微芯科技) | Microchip(微芯科技) | Microchip(微芯科技) |
零件包装代码 | SOIC | SOIC | SOIC |
包装说明 | SOP, SOP8,.3 | SOP, SOP8,.3 | SOP, SOP8,.3 |
针数 | 8 | 8 | 8 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
其他特性 | 1000000 ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION > 200 YEARS | 1000000 ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION > 200 YEARS | 1000000 ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION > 200 YEARS |
最大时钟频率 (fCLK) | 2 MHz | 2 MHz | 2 MHz |
数据保留时间-最小值 | 200 | 200 | 200 |
耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles | 1000000 Write/Erase Cycles | 1000000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 |
长度 | 5.28 mm | 5.28 mm | 5.28 mm |
内存密度 | 1024 bit | 1024 bit | 1024 bit |
内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM | EEPROM |
内存宽度 | 16 | 16 | 16 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 8 | 8 | 8 |
字数 | 64 words | 64 words | 64 words |
字数代码 | 64 | 64 | 64 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
组织 | 64X16 | 64X16 | 64X16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP | SOP | SOP |
封装等效代码 | SOP8,.3 | SOP8,.3 | SOP8,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
并行/串行 | SERIAL | SERIAL | SERIAL |
电源 | 5 V | 5 V | 5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 2.03 mm | 2.03 mm | 2.03 mm |
串行总线类型 | MICROWIRE | MICROWIRE | MICROWIRE |
最大待机电流 | 0.000001 A | 0.000001 A | 0.000001 A |
最大压摆率 | 0.0015 mA | 0.0015 mA | 0.0015 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
表面贴装 | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | AUTOMOTIVE | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
宽度 | 5.207 mm | 5.207 mm | 5.207 mm |
最长写入周期时间 (tWC) | 2 ms | 2 ms | 2 ms |
写保护 | SOFTWARE | SOFTWARE | SOFTWARE |
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