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IDT70T9159L9BFI8

产品描述Multi-Port SRAM, 8KX9, 20ns, CMOS, PBGA100
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制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT70T9159L9BFI8概述

Multi-Port SRAM, 8KX9, 20ns, CMOS, PBGA100

IDT70T9159L9BFI8规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Codenot_compliant
最长访问时间20 ns
最大时钟频率 (fCLK)66 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PBGA-B100
JESD-609代码e0
内存密度73728 bit
内存集成电路类型MULTI-PORT SRAM
内存宽度9
湿度敏感等级3
端口数量2
端子数量100
字数8192 words
字数代码8000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织8KX9
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FBGA
封装等效代码BGA100,10X10,32
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源2.5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.003 A
最小待机电流2.4 V
最大压摆率0.22 mA
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
Base Number Matches1

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HIGH-SPEED 2.5V
16/8K X 9 SYNCHRONOUS
PIPELINED
DUAL-PORT STATIC RAM
Features
IDT70T9169/59L
True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
High-speed clock to data access
– Commercial:7.5/9/12ns (max.)
– Industrial: 9ns (max.)
Low-power operation
– IDT70T9169/59L
Active: 225mW (typ.)
Standby: 1.5mW (typ.)
Flow-Through or Pipelined output mode on either Port via
the
FT/PIPE
pins
Counter enable and reset features
Dual chip enables allow for depth expansion without
additional logic
Full synchronous operation on both ports
– 4.0ns setup to clock and 0.5ns hold on all control, data, and
address inputs
– Data input, address, and control registers
– Fast 7.5ns clock to data out in the Pipelined output mode
– Self-timed write allows fast cycle time
– 12ns cycle time, 83MHz operation in Pipelined output mode
LVTTL- compatible, single 2.5V (±100mV) power supply
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is
available for 66MHz
Available in a 100-pin Thin Quad Flatpack (TQFP) and 100-
pin fine pitch Ball Grid Array (fpBGA) packages.
Functional Block Diagram
R/W
L
OE
L
CE
0L
CE
1L
R/W
R
OE
R
CE
0R
CE
1R
1
0
0/1
1
0
0/1
FT/PIPE
L
0/1
1
0
0
1
0/1
FT/PIPE
R
I/O
0L
- I/O
8L
I/O
0R
- I/O
8R
I/O
Control
I/O
Control
A
13L
(1)
A
0L
CLK
L
ADS
L
CNTEN
L
CNTRST
L
Counter/
Address
Reg.
MEMORY
ARRAY
Counter/
Address
Reg.
A
13R
(1)
A
0R
CLK
R
ADS
R
CNTEN
R
CNTRST
R
5654 drw 01
NOTE:
1. A
13
is a NC for IDT70T9159.
AUGUST 2004
1
©2004 Integrated Device Technology, Inc.
DSC-5654/2

IDT70T9159L9BFI8相似产品对比

IDT70T9159L9BFI8 IDT70T9169L9PFI8 70T9159L9BFI8 IDT70T9159L7PF8 IDT70T9169L7PF8
描述 Multi-Port SRAM, 8KX9, 20ns, CMOS, PBGA100 Multi-Port SRAM, 16KX9, 20ns, CMOS, PQFP100 Dual-Port SRAM, 8KX9, 9ns, CMOS, PBGA100, 10 X 10 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FPBGA-100 Multi-Port SRAM, 8KX9, 18ns, CMOS, PQFP100 Multi-Port SRAM, 16KX9, 18ns, CMOS, PQFP100
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
最长访问时间 20 ns 20 ns 9 ns 18 ns 18 ns
最大时钟频率 (fCLK) 66 MHz 66 MHz 66 MHz 83 MHz 83 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 S-PBGA-B100 S-PQFP-G100 S-PBGA-B100 S-PQFP-G100 S-PQFP-G100
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 73728 bit 147456 bit 73728 bit 73728 bit 147456 bit
内存集成电路类型 MULTI-PORT SRAM MULTI-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM MULTI-PORT SRAM MULTI-PORT SRAM
内存宽度 9 9 9 9 9
湿度敏感等级 3 3 3 3 3
端口数量 2 2 2 2 2
端子数量 100 100 100 100 100
字数 8192 words 16384 words 8192 words 8192 words 16384 words
字数代码 8000 16000 8000 8000 16000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 70 °C 70 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C - -
组织 8KX9 16KX9 8KX9 8KX9 16KX9
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 FBGA QFP BGA QFP QFP
封装等效代码 BGA100,10X10,32 QFP100,.63SQ,20 BGA100,10X10,32 QFP100,.63SQ,20 QFP100,.63SQ,20
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 GRID ARRAY, FINE PITCH FLATPACK GRID ARRAY FLATPACK FLATPACK
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 225 240 225 240 240
电源 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.003 A 0.003 A 0.003 A 0.003 A 0.003 A
最小待机电流 2.4 V 2.4 V 2.4 V 2.4 V 2.4 V
最大压摆率 0.22 mA 0.22 mA 0.22 mA 0.2 mA 0.2 mA
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn63Pb37) Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn63Pb37) Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式 BALL GULL WING BALL GULL WING GULL WING
端子节距 0.8 mm 0.5 mm 0.8 mm 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 BOTTOM QUAD BOTTOM QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 30 20 30 20 20
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