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71342SA35JI8

产品描述Dual-Port SRAM, 4KX8, 35ns, CMOS, PQCC52, 0.790 X 0.790 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-52
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文件大小310KB,共14页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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71342SA35JI8概述

Dual-Port SRAM, 4KX8, 35ns, CMOS, PQCC52, 0.790 X 0.790 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-52

71342SA35JI8规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
包装说明0.790 X 0.790 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-52
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间35 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PQCC-J52
JESD-609代码e0
内存密度32768 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量2
端子数量52
字数4096 words
字数代码4000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织4KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC52,.8SQ
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.015 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.3 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
Base Number Matches1

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HIGH SPEED
4K X 8 DUAL-PORT
STATIC RAM
WITH SEMAPHORE
Features
IDT71342SA/LA
High-speed access
– Commercial: 20/25/35/45/55/70ns (max.)
– Industrial: 25ns (max.)
Low-power operation
– IDT71342SA
Active: 700mW (typ.)
Standby: 5mW (typ.)
– IDT71342LA
Active: 700mW (typ.)
Standby: 1mW (typ.)
Fully asynchronous operation from either port
Full on-chip hardware support of semaphore signalling be-
tween ports
Battery backup operation—2V data retention (LA only)
TTL-compatible; single 5V (±10%) power supply
Available in plastic packages
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
for selected speeds
Functional Block Diagram
R/W
L
CE
L
R/W
R
CE
R
OE
L
I/O
CONTROL
I/O
CONTROL
OE
R
I/O
0L
- I/O
7L
I/O
0R
- I/O
7R
MEMORY
ARRAY
SEMAPHORE
LOGIC
SEM
L
ADDRESS
DECODER
ADDRESS
DECODER
SEM
R
A
0L
- A
11L
A
0R
- A
11R
2721 drw 01
SEPTEMBER 2012
1
©2012 Integrated Device Technology, Inc.
DSC 2621/14
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