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RKZ6.8Z4KTH

产品描述6.74 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小79KB,共5页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
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RKZ6.8Z4KTH概述

6.74 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE

RKZ6.8Z4KTH规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码SON
包装说明R-PDSO-F5
针数5
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
配置COMMON ANODE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗30 Ω
JESD-30 代码R-PDSO-F5
元件数量4
端子数量5
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.15 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压6.8 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差3.93%
工作测试电流5 mA

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RKZ6.8Z4KT
Silicon Planar Zener Diode for Surge Absorption
REJ03G1820-0100
Rev.1.00
Sep 15, 2009
Features
RKZ6.8Z4KT can absorbing surge with four devices in one chip configuration.
Low capacitance (C = 4.0 pF Typ) enable protecting signal line from ESD.
VSON-5 Package is suitable for high density surface mounting.
Ordering Information
Part No
RKZ6.8Z4KT H
RKZ6.8Z4KT P
Laser Mark
N1
Package Name
VSON-5
Package Code
PUSN0005KB-A
Taping Abbreviation
(Quantity)
H (3,000 pcs / reel)
P (3,000 pcs / reel)
Pin Arrangement
1
2
1
2
(Month code)
N1
3
5
4
(Top View)
5
4
3
(Top View)
1. Cathode
2. Cathode
3. Cathode
4. Anode
5. Cathode
Month Code
Month of Manufacture
January
February
March
April
May
June
Assemble
MALAYSIA
1
2
3
4
5
6
Month of Manufacture
July
August
September
October
November
December
Assemble
MALAYSIA
7
8
9
W
X
Y
REJ03G1820-0100 Rev.1.00 Sep.15.2009
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RKZ6.8Z4KTH RKZ6.8Z4KT RKZ6.8Z4KTP
描述 6.74 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE 6.74 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE 6.74 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE

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