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RJP6085DPK

产品描述Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
文件大小95KB,共6页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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RJP6085DPK概述

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

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RJP6085DPK
Silicon N Channel IGBT
High Speed Power Switching
Features
High speed switching
Low collector to emitter saturation voltage
REJ03G1862-0100
Rev.1.00
Nov 09, 2009
Outline
RENESAS Package code: PRSS0004ZE-A
(Package name: TO-3P)
4
C
G
1. Gate
2. Collecotor
3. Emitter
4. Collector (Flange)
1
2
3
E
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Collector to Emitter voltage
Gate to Emitter voltage
Collector current
Collector peak current
Collector dissipation
Junction to case thermal impedance
Junction temperature
Storage temperature
Notes: 1. Pulse width limited by safe operating area.
2. Value at Tc = 25°C
Symbol
V
CES
V
GES
I
C
I
C(peak) Note1
P
C Note2
θj-c
Note2
Tj
Tstg
Ratings
600
±30
40
80
178.5
0.7
150
–55 to +150
Unit
V
V
A
A
W
°C/W
°C
°C
REJ03G1862-0100 Rev.1.00 Nov 09, 2009
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描述 Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

 
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