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934057716118

产品描述Power Field-Effect Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小308KB,共15页
制造商Nexperia
官网地址https://www.nexperia.com
标准
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934057716118概述

Power Field-Effect Transistor

934057716118规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Nexperia
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Codenot_compliant
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas)352 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压55 V
最大漏极电流 (ID)110 A
最大漏源导通电阻0.0093 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)439 A
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

934057716118相似产品对比

934057716118 BUK9608-55B/C1 BUK9608-55B
描述 Power Field-Effect Transistor Power Field-Effect Transistor Power Field-Effect Transistor
是否Rohs认证 符合 符合 符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 D2PAK-3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code not_compliant compliant not_compliant
雪崩能效等级(Eas) 352 mJ 352 mJ 352 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 55 V 55 V 55 V
最大漏极电流 (ID) 110 A 110 A 110 A
最大漏源导通电阻 0.0093 Ω 0.0093 Ω 0.0093 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3 e3 e3
湿度敏感等级 1 1 1
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 439 A 439 A 439 A
表面贴装 YES YES YES
端子面层 Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1
其他特性 LOGIC LEVEL COMPATIBLE - LOGIC LEVEL COMPATIBLE
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