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RJL6018DPK-00-T0

产品描述Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小160KB,共4页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
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RJL6018DPK-00-T0概述

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

RJL6018DPK-00-T0规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码TO-3P
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (ID)27 A
最大漏源导通电阻0.265 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)81 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

文档预览

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RJL6018DPK
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
Features
Built-in fast recovery diode
Low on-resistance
Low leakage current
High speed switching
REJ03G1819-0100
Rev.1.00
Sep 11, 2009
Outline
RENESAS Package code: PRSS0004ZE-A
(Package name:TO-3P)
D
G
1. Gate
2. Drain (Flange)
3. Source
1
2
3
S
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Drain to source voltage
Gate to source voltage
Drain current
Drain peak current
Body-drain diode reverse drain current
Body-drain diode reverse drain peak current
Avalanche current
Avalanche energy
Channel dissipation
Channel to case thermal impedance
Channel temperature
Storage temperature
Notes: 1. PW
10
μs,
duty cycle
1%
2. Value at Tc = 25°C
3. STch = 25°C, Tch
150°C
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D (pulse)Note1
I
DR
I
DR (pulse)Note1
I
APNote3
E
ARNote3
Pch
Note2
θch-c
Tch
Tstg
Ratings
600
±30
27
81
27
81
6
1.9
200
0.625
150
–55 to +150
Unit
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
°C/W
°C
°C
REJ03G1819-0100 Rev.1.00 Sep 11, 2009
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描述 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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