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RJK5015DPM-00-T1

产品描述Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小72KB,共4页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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RJK5015DPM-00-T1概述

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

RJK5015DPM-00-T1规格参数

参数名称属性值
零件包装代码TO-3PFM
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codecompli
Is SamacsysN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)25 A
最大漏极电流 (ID)25 A
最大漏源导通电阻0.24 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)60 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)75 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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RJK5015DPM
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
Features
Low on-resistance
Low leakage current
High speed switching
REJ03G1753-0100
Rev.1.00
Oct 26, 2009
Outline
RENESAS Package code: PRSS0003ZA-A
(Package name: TO-3PFM)
D
G
1. Gate
2. Drain
3. Source
S
1
2
3
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Drain to source voltage
Gate to source voltage
Drain current
Drain peak current
Body-drain diode reverse drain current
Body-drain diode reverse drain peak current
Avalanche current
Avalanche energy
Channel dissipation
Channel to case thermal impedance
Channel temperature
Storage temperature
Notes: 1.
2.
3.
4.
PW
10
μs,
duty cycle
1%
Value at Tc = 25°C
STch = 25°C, Tch
150°C
Limited by maximum safe operation area
Symbol
V
DSS
V
GSS
Note4
I
D
I
D (pulse)
I
DR
Note1
I
DR (pulse)
Note3
I
AP
E
ARNote3
Pch
Note2
θch-c
Tch
Tstg
Note1
Ratings
500
±30
25
75
25
75
7
2.7
60
2.08
150
–55 to +150
Unit
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
°C/W
°C
°C
REJ03G1753-0100 Rev.1.00 Oct 26, 2009
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RJK5015DPM-00-T1相似产品对比

RJK5015DPM-00-T1 RJK5015DPM
描述 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

 
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