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RJK2017DPP-00-T2

产品描述Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小159KB,共4页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
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RJK2017DPP-00-T2概述

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

RJK2017DPP-00-T2规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码TO-220AB
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)45 A
最大漏极电流 (ID)45 A
最大漏源导通电阻0.047 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)30 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)135 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

文档预览

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RJK2017DPP
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
REJ03G1797-0200
Rev.2.00
Aug 26, 2009
Features
Low on-resistance
Low leakage current
High speed switching
Outline
RENESAS Package code: PRSS0003AB-A
(Package name: TO-220FN)
D
G
1. Gate
2. Drain
3. Source
1
2 3
S
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Drain to source voltage
Gate to source voltage
Drain current
Drain peak current
Body-drain diode reverse drain current
Avalanche current
Avalanche energy
Channel dissipation
Channel to case thermal impedance
Channel temperature
Storage temperature
Notes: 1.
2.
3.
4.
PW
10
μs,
duty cycle
1%
Value at Tc = 25°C
STch = 25°C, Tch
150°C
Limited by maximum safe operation area
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D Note4
I
D (pulse) Note1
I
DR
I
AP Note3
E
AR Note3
Pch
Note2
θch-c
Tch
Tstg
Ratings
200
±30
45
135
45
12
9.6
30
4.17
150
–55 to +150
Unit
V
V
A
A
A
A
mJ
W
°C/W
°C
°C
REJ03G1797-0200 Rev.2.00 Aug 26, 2009
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