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RJK4513DPE

产品描述Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
文件大小72KB,共4页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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RJK4513DPE概述

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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RJK4513DPE
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
Features
Low on-resistance
R
DS(on)
= 0.33
Ω
typ. (at I
D
= 8 A, V
GS
= 10 V, Ta = 25°C)
Low leakage current
High speed switching
REJ03G1586-0100
Rev.1.00
Dec 08, 2009
Outline
RENESAS Package code: PRSS0004AE-B
(Package name: LDPAK(S)-(1) )
D
4
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
1
G
2
3
S
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Drain to source voltage
Gate to source voltage
Drain current
Drain peak current
Body-drain diode reverse drain current
Body-drain diode reverse drain peak current
Avalanche current
Avalanche energy
Channel dissipation
Channel to case thermal impedance
Channel temperature
Storage temperature
Notes: 1. PW
10
μs,
duty cycle
1%
2. Value at Tc = 25°C
3. STch = 25°C, Tch
150°C
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D (pulse)
I
DR
Note1
I
DR (pulse)
Note3
I
AP
Note3
E
AR
Pch
Note2
θch-c
Tch
Tstg
Note1
Ratings
450
±30
16
48
16
48
4
0.9
100
1.25
150
–55 to +150
Unit
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
°C/W
°C
°C
REJ03G1586-0100 Rev.1.00 Dec 08, 2009
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