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RJH60D1DPE

产品描述16 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小156KB,共4页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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RJH60D1DPE概述

16 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT

16 A, 600 V, N沟道 IGBT

RJH60D1DPE规格参数

参数名称属性值
端子数量2
额定关断时间140 ns
最大集电极电流16 A
最大集电极发射极电压600 V
加工封装描述SC-83, LDPAK-3
状态TRANSFERRED
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
包装材料PLASTIC/EPOXY
结构SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
壳体连接COLLECTOR
元件数量1
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
通道类型N-CHANNEL
晶体管类型INSULATED GATE BIPOLAR
额定导通时间60 ns

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Preliminary
RJH60D1DPE
Silicon N Channel IGBT
Application: Inverter
Features
High breakdown-voltage
Low on-voltage
Built-in diode
REJ03G1840-0100
Rev.1.00
Oct 14, 2009
Outline
RENESAS Package code: PRSS0004AE-B
(Package name: LDPAK (S)-(1) )
C
4
G
1
2
3
E
1. Gate
2. Collector
3. Emitter
4. Collecotor
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Collector to emitter voltage / diode reverse voltage
Gate to emitter voltage
Collector current
Tc = 25°C
Tc = 100°C
Collector peak current
Collector to emitter diode forward current
Collector to Emitter diode forward peak current
Collector dissipation
Junction to case thermal impedance
Junction temperature
Storage temperature
Notes: 1. PW
10
μs,
duty cycle
1%
2. Value at Tc = 25°C
Symbol
V
CES
/ V
R
V
GES
I
C
I
C
ic(peak)
Note1
i
DF
i
DF
(peak)
Note1
P
C Note2
θj-c
Note2
Tj
Tstg
Ratings
600
±30
16
8
32
8
32
70
1.79
150
–55 to +150
Unit
V
V
A
A
A
A
A
W
°C/ W
°C
°C
REJ03G1840-0100 Rev.1.00 Oct 14, 2009
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RJH60D1DPE相似产品对比

RJH60D1DPE RJH60D1DPE-00-J3
描述 16 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT 16 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
端子数量 2 2
表面贴装 Yes YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
元件数量 1 1
晶体管应用 POWER CONTROL POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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