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RJH60D0DPK-00-T0

产品描述Silicon N Channel IGBT Application: Inverter
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小158KB,共4页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
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RJH60D0DPK-00-T0概述

Silicon N Channel IGBT Application: Inverter

RJH60D0DPK-00-T0规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码TO-3P
包装说明SC-65, TO-3P, 3 PIN
针数2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)40 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值6 V
门极-发射极最大电压30 V
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)140 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)180 ns
标称接通时间 (ton)85 ns

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Preliminary
RJH60D0DPK
Silicon N Channel IGBT
Application: Inverter
Features
High breakdown-voltage
Low on-voltage
Built-in diode
REJ03G1845-0100
Rev.1.00
Oct 14, 2009
Outline
RENESAS Package code: PRSS0004ZE-A
(Package name: TO-3P)
C
G
1. Gate
2. Collector
3. Emitter
1
2
3
E
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Collector to emitter voltage / diode reverse voltage
Gate to emitter voltage
Collector current
Tc = 25°C
Tc = 100°C
Collector peak current
Collector to emitter diode forward current
Collector to emitter diode forward peak current
Collector dissipation
Junction to case thermal impedance
Junction temperature
Storage temperature
Notes: 1. PW
10
μs,
duty cycle
1%
2. Value at Tc = 25°C
Symbol
V
CES
/ V
R
V
GES
I
C
I
C
ic(peak)
Note1
I
DF
i
DF
(peak)
Note1
P
C Note2
θj-c
Note2
Tj
Tstg
Ratings
600
±30
40
20
80
20
80
140
0.89
150
–55 to +150
Unit
V
V
A
A
A
A
A
W
°C/ W
°C
°C
REJ03G1845-0100 Rev.1.00 Oct 14, 2009
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RJH60D0DPK-00-T0相似产品对比

RJH60D0DPK-00-T0 RJH60D0DPK
描述 Silicon N Channel IGBT Application: Inverter Silicon N Channel IGBT Application: Inverter

 
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