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82HS641B/B3A

产品描述IC 8K X 8 OTPROM, 45 ns, CQCC28, CERAMIC, LLCC-28, Programmable ROM
产品类别存储    存储   
文件大小80KB,共4页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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82HS641B/B3A概述

IC 8K X 8 OTPROM, 45 ns, CQCC28, CERAMIC, LLCC-28, Programmable ROM

82HS641B/B3A规格参数

参数名称属性值
厂商名称NXP(恩智浦)
零件包装代码QLCC
包装说明QCCN,
针数28
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间45 ns
JESD-30 代码S-CQCC-N28
长度11.43 mm
内存密度65536 bit
内存集成电路类型OTP ROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量28
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织8KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码QCCN
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.905 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术BIPOLAR
温度等级MILITARY
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
宽度11.43 mm
Base Number Matches1

82HS641B/B3A相似产品对比

82HS641B/B3A 82HS641A/B3A 82HS641A/BJA 82HS641B/BJA 5962-8200902JA
描述 IC 8K X 8 OTPROM, 45 ns, CQCC28, CERAMIC, LLCC-28, Programmable ROM IC 8K X 8 OTPROM, 55 ns, CQCC28, CERAMIC, LLCC-28, Programmable ROM IC 8K X 8 OTPROM, 55 ns, CDIP24, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-24, Programmable ROM IC 8K X 8 OTPROM, 45 ns, CDIP24, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-24, Programmable ROM IC 8K X 8 OTPROM, 55 ns, CDIP24, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-24, Programmable ROM
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
零件包装代码 QLCC QLCC DIP DIP DIP
包装说明 QCCN, QCCN, DIP, DIP, DIP,
针数 28 28 24 24 24
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 45 ns 55 ns 55 ns 45 ns 55 ns
JESD-30 代码 S-CQCC-N28 S-CQCC-N28 R-GDIP-T24 R-GDIP-T24 R-GDIP-T24
内存密度 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit
内存集成电路类型 OTP ROM OTP ROM OTP ROM OTP ROM OTP ROM
内存宽度 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1
端子数量 28 28 24 24 24
字数 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words
字数代码 8000 8000 8000 8000 8000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
组织 8KX8 8KX8 8KX8 8KX8 8KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 QCCN QCCN DIP DIP DIP
封装形状 SQUARE SQUARE RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER IN-LINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.905 mm 1.905 mm 5.715 mm 5.715 mm 5.715 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES NO NO NO
技术 BIPOLAR BIPOLAR BIPOLAR BIPOLAR BIPOLAR
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子形式 NO LEAD NO LEAD THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 QUAD QUAD DUAL DUAL DUAL
宽度 11.43 mm 11.43 mm 15.24 mm 15.24 mm 15.24 mm
Base Number Matches 1 1 1 1 1
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