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74AUP2G38GF: 产品描述NAND Gate, AUP/ULP/V Series, 2-Func, 2-Input, CMOS, PDSO8; 产品类别逻辑逻辑; 文件大小274KB，共21页; 制造商Nexperia; 官网地址https://www.nexperia.com; 标准

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74AUP2G38GF概述

NAND Gate, AUP/ULP/V Series, 2-Func, 2-Input, CMOS, PDSO8

74AUP2G38GF规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Nexperia
包装说明	VSON,
Reach Compliance Code	compliant
系列	AUP/ULP/V
JESD-30 代码	R-PDSO-N8
JESD-609代码	e3
长度	1.35 mm
逻辑集成电路类型	NAND GATE
湿度敏感等级	1
功能数量	2
输入次数	2
端子数量	8
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
输出特性	OPEN-DRAIN
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VSON
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	260
传播延迟（tpd）	24 ns
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	0.5 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	0.8 V
标称供电电压 (Vsup)	1.1 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	AUTOMOTIVE
端子面层	Tin (Sn)
端子形式	NO LEAD
端子节距	0.35 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	1 mm
Base Number Matches	1

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74AUP2G38

Low-power dual 2-input NAND gate; open drain

Rev. 8 — 11 February 2013

Product data sheet

1. General description

The 74AUP2G38 provides the dual 2-input NAND gate with open-drain output. The output

of the device is an open drain and can be connected to other open-drain outputs to

implement active-LOW wired-OR or active-HIGH wired-AND functions.

Schmitt trigger action at all inputs makes the circuit tolerant to slower input rise and fall

times across the entire V

range from 0.8 V to 3.6 V.

This device ensures a very low static and dynamic power consumption across the entire

range from 0.8 V to 3.6 V.

This device is fully specified for partial Power-down applications using I

OFF

. The I

OFF

circuitry disables the output, preventing a damaging backflow current through the device

when it is powered down.

2. Features and benefits



Wide supply voltage range from 0.8 V to 3.6 V



High noise immunity



Complies with JEDEC standards:



JESD8-12 (0.8 V to 1.3 V)



JESD8-11 (0.9 V to 1.65 V)



JESD8-7 (1.2 V to 1.95 V)



JESD8-5 (1.8 V to 2.7 V)



JESD8-B (2.7 V to 3.6 V)



ESD protection:



HBM JESD22-A114F Class 3A exceeds 5000 V



MM JESD22-A115-A exceeds 200 V



CDM JESD22-C101E exceeds 1000 V



Low static power consumption; I

= 0.9

A

(maximum)



Latch-up performance exceeds 100 mA per JESD78B Class II



Inputs accept voltages up to 3.6 V



Low noise overshoot and undershoot < 10 % of V



OFF

circuitry provides partial Power-down mode operation



Multiple package options



Specified from

40 C

to +85

C

and

40 C

to +125

C

74AUP2G38GF相似产品对比

	74AUP2G38GF	74AUP2G38GM	74AUP2G38DC	74AUP2G38GD	74AUP2G38GN	74AUP2G38GT	74AUP2G38GS	935292787115
描述	NAND Gate, AUP/ULP/V Series, 2-Func, 2-Input, CMOS, PDSO8	NAND Gate, AUP/ULP/V Series, 2-Func, 2-Input, CMOS, PBCC8	NAND Gate, AUP/ULP/V Series, 2-Func, 2-Input, CMOS, PDSO8	NAND Gate, AUP/ULP/V Series, 2-Func, 2-Input, CMOS, PDSO8	NAND Gate, AUP/ULP/V Series, 2-Func, 2-Input, CMOS, PDSO8	NAND Gate, AUP/ULP/V Series, 2-Func, 2-Input, CMOS, PDSO8	NAND Gate, AUP/ULP/V Series, 2-Func, 2-Input, CMOS, PDSO8	NAND Gate, AUP/ULP/V Series, 2-Func, 2-Input, CMOS, PDSO8
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	Nexperia	Nexperia	Nexperia	Nexperia	Nexperia	Nexperia	Nexperia	Nexperia
包装说明	VSON,	BCC,	VSSOP,	VSON,	SON,	VSON,	VSON,	VSON,
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
系列	AUP/ULP/V	AUP/ULP/V	AUP/ULP/V	AUP/ULP/V	AUP/ULP/V	AUP/ULP/V	AUP/ULP/V	AUP/ULP/V
JESD-30 代码	R-PDSO-N8	S-PBCC-B8	R-PDSO-G8	R-PDSO-N8	R-PDSO-N8	R-PDSO-N8	R-PDSO-N8	R-PDSO-N8
JESD-609代码	e3	e4	e4	e4	e3	e3	e3	e3
长度	1.35 mm	1.6 mm	2.3 mm	3 mm	1.2 mm	1.95 mm	1.35 mm	1.35 mm
逻辑集成电路类型	NAND GATE	NAND GATE	NAND GATE	NAND GATE	NAND GATE	NAND GATE	NAND GATE	NAND GATE
湿度敏感等级	1	1	1	1	1	1	1	1
功能数量	2	2	2	2	2	2	2	2
输入次数	2	2	2	2	2	2	2	2
端子数量	8	8	8	8	8	8	8	8
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
输出特性	OPEN-DRAIN	OPEN-DRAIN	OPEN-DRAIN	OPEN-DRAIN	OPEN-DRAIN	OPEN-DRAIN	OPEN-DRAIN	OPEN-DRAIN
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VSON	BCC	VSSOP	VSON	SON	VSON	VSON	VSON
封装形状	RECTANGULAR	SQUARE	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE	CHIP CARRIER	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
传播延迟（tpd）	24 ns	24 ns	24 ns	24 ns	24 ns	24 ns	24 ns	24 ns
座面最大高度	0.5 mm	0.5 mm	1 mm	0.5 mm	0.35 mm	0.5 mm	0.35 mm	0.35 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	0.8 V	0.8 V	0.8 V	0.8 V	0.8 V	0.8 V	0.8 V	0.8 V
标称供电电压 (Vsup)	1.1 V	1.1 V	1.1 V	1.1 V	1.1 V	1.1 V	1.1 V	1.1 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE
端子面层	Tin (Sn)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Tin (Sn)	Tin (Sn)	Tin (Sn)	Tin (Sn)
端子形式	NO LEAD	BUTT	GULL WING	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	0.35 mm	0.55 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.3 mm	0.5 mm	0.35 mm	0.35 mm
端子位置	DUAL	BOTTOM	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	1 mm	1.6 mm	2 mm	2 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	260	260	-
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30	30	30	30	-
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	-

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