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5962H3829440V9C

产品描述Standard SRAM, 8KX8, 120ns, CMOS, FP-36
产品类别存储    存储   
文件大小690KB,共16页
制造商Honeywell
官网地址http://www.ssec.honeywell.com/
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5962H3829440V9C概述

Standard SRAM, 8KX8, 120ns, CMOS, FP-36

5962H3829440V9C规格参数

参数名称属性值
厂商名称Honeywell
包装说明DFP, FL36,.6,25
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.1.A
最长访问时间120 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDFP-F36
JESD-609代码e4
长度16.005 mm
内存密度65536 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量36
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织8KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DFP
封装等效代码FL36,.6,25
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-PRF-38534 Class H
座面最大高度3.81 mm
最大待机电流0.0003 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层GOLD
端子形式FLAT
端子节距0.635 mm
端子位置DUAL
总剂量1M Rad(Si) V
Base Number Matches1
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