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IDT70V35L20PF8

产品描述Dual-Port SRAM, 8KX18, 20ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
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文件大小153KB,共17页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT70V35L20PF8概述

Dual-Port SRAM, 8KX18, 20ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100

IDT70V35L20PF8规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码QFP
包装说明14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
针数100
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间20 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PQFP-G100
JESD-609代码e0
长度14 mm
内存密度147456 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量2
端子数量100
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8KX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFQFP
封装等效代码QFP100,.63SQ,20
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大待机电流0.0025 A
最小待机电流3 V
最大压摆率0.175 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度14 mm
Base Number Matches1

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HIGH-SPEED 3.3V
8/4K x 18 DUAL-PORT
STATIC RAM
.eatures
True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous
reads of the same memory location
High-speed access
– Commercial: 15/20/25ns (max.)
– Industrial: 20ns
Low-power operation
– IDT70V35/34S
Active: 430mW (typ.)
Standby: 3.3mW (typ.)
– IDT70V35/34L
Active: 415mW (typ.)
Standby: 660
µ
W (typ.)
Separate upper-byte and lower-byte control for multiplexed
bus compatibility
PRELIMINARY
IDT70V35/34S/L
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
IDT70V35/34 easily expands data bus width to 36 bits or
more using the Master/Slave select when cascading more
than one device
M/S = V
IH
for
BUSY
output flag on Master
M/S = V
IL
for
BUSY
input on Slave
BUSY
and Interrupt Flag
On-chip port arbitration logic
Full on-chip hardware support of semaphore signaling
between ports
Fully asynchronous operation from either port
LVTTL-compatible, single 3.3V (±0.3V) power supply
Available in a 100-pin TQFP
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is available
for selected speeds
.unctional Block Diagram
R/W
L
UB
L
R/W
R
UB
R
LB
L
CE
L
OE
L
LB
R
CE
R
OE
R
,
I/O
9L
-I/O
17L
I/O
0L
-I/O
8L
BUSY
L
(2,3)
I/O
9R
-I/O
17R
I/O
Control
I/O
Control
I/O
0R
-I/O
8R
BUSY
R
(2,3)
A
12R
(1)
A
0R
A
12L
(1)
A
0L
Address
Decoder
13
MEMORY
ARRAY
13
Address
Decoder
CE
L
OE
L
R/W
L
SEM
L
INT
L
(3)
NOTES:
1. A
12
is a NC for IDT70V34.
2. (MASTER):
BUSY
is output; (SLAVE):
BUSY
is input.
3.
BUSY
outputs and
INT
outputs are non-tri-stated push-pull.
ARBITRATION
INTERRUPT
SEMAPHORE
LOGIC
CE
R
OE
R
R/W
R
SEM
R
INT
R
(3)
5624 drw 01
M/S
JULY 2002
1
DSC-5624/3
©2002 Integrated Device Technology, Inc.
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