IDT7052S25PFG8,IDT7052S25PFG8 pdf中文资料,IDT7052S25PFG8引脚图,IDT7052S25PFG8电路-Datasheet-电子工程世界

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IDT7052S25PFG8: 产品描述Four-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PQFP120, PLASTIC, TQFP-120; 产品类别存储存储; 文件大小121KB，共11页; 制造商IDT (Integrated Device Technology); 标准

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IDT7052S25PFG8概述

Four-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PQFP120, PLASTIC, TQFP-120

IDT7052S25PFG8规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	QFP
包装说明	LFQFP,
针数	120
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	25 ns
其他特性	AUTOMATIC POWER-DOWN
JESD-30 代码	S-PQFP-G120
JESD-609代码	e3
长度	14 mm
内存密度	16384 bit
内存集成电路类型	FOUR-PORT SRAM
内存宽度	8
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端口数量	4
端子数量	120
字数	2048 words
字数代码	2000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	2KX8
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFQFP
封装形状	SQUARE
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	GULL WING
端子节距	0.4 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	14 mm
Base Number Matches	1

IDT7052S25PFG8相似产品对比

	IDT7052S25PFG8	IDT7052L35PFG8	IDT7052L25PFG8	IDT7052S20PFG8	IDT7052S35PFG8
描述	Four-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PQFP120, PLASTIC, TQFP-120	Four-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP120, PLASTIC, TQFP-120	Four-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PQFP120, PLASTIC, TQFP-120	Four-Port SRAM, 2KX8, 20ns, CMOS, PQFP120, PLASTIC, TQFP-120	Four-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP120, PLASTIC, TQFP-120
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP
包装说明	LFQFP,	LFQFP,	LFQFP,	LFQFP,	LFQFP,
针数	120	120	120	120	120
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	25 ns	35 ns	25 ns	20 ns	35 ns
其他特性	AUTOMATIC POWER-DOWN	AUTOMATIC POWER-DOWN	AUTOMATIC POWER-DOWN	AUTOMATIC POWER-DOWN	AUTOMATIC POWER-DOWN
JESD-30 代码	S-PQFP-G120	S-PQFP-G120	S-PQFP-G120	S-PQFP-G120	S-PQFP-G120
JESD-609代码	e3	e3	e3	e3	e3
长度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
内存密度	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit
内存集成电路类型	FOUR-PORT SRAM	FOUR-PORT SRAM	FOUR-PORT SRAM	FOUR-PORT SRAM	FOUR-PORT SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8
湿度敏感等级	3	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1	1
端子数量	120	120	120	120	120
字数	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words
字数代码	2000	2000	2000	2000	2000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	2KX8	2KX8	2KX8	2KX8	2KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFQFP	LFQFP	LFQFP	LFQFP	LFQFP
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.4 mm	0.4 mm	0.4 mm	0.4 mm	0.4 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30	30
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
Base Number Matches	1	1	1	1	1
端口数量	4	4	4	-	4
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE
可输出	YES	YES	YES	-	YES

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