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93LC76I/SN

产品描述512 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, NSOIC-8
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文件大小144KB,共12页
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
标准  
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93LC76I/SN概述

512 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, NSOIC-8

93LC76I/SN规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Microchip(微芯科技)
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP8,.25
针数8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
备用内存宽度8
最大时钟频率 (fCLK)3 MHz
数据保留时间-最小值200
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
长度4.9 mm
内存密度8192 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度16
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量8
字数512 words
字数代码512
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512X16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.75 mm
串行总线类型MICROWIRE
最大待机电流0.00003 A
最大压摆率0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)6 V
最小供电电压 (Vsup)2.5 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
写保护HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches1

93LC76I/SN相似产品对比

93LC76I/SN 93LC86I/P 93LC76I/P 93LC86I/SN
描述 512 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, NSOIC-8 1K X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, MS-001, DIP-8 512 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8 1K X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, NSOIC-8
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技)
零件包装代码 SOIC DIP DIP SOIC
包装说明 SOP, SOP8,.25 DIP, DIP8,.3 DIP, DIP8,.3 SOP, SOP8,.25
针数 8 8 8 8
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
备用内存宽度 8 8 8 8
最大时钟频率 (fCLK) 3 MHz 3 MHz 3 MHz 3 MHz
数据保留时间-最小值 200 200 200 200
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDIP-T8 R-PDIP-T8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3
长度 4.9 mm 9.46 mm 9.271 mm 4.9 mm
内存密度 8192 bit 16384 bit 8192 bit 16384 bit
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 16 16 16 16
功能数量 1 1 1 1
端子数量 8 8 8 8
字数 512 words 1024 words 512 words 1024 words
字数代码 512 1000 512 1000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 512X16 1KX16 512X16 1KX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP DIP DIP SOP
封装等效代码 SOP8,.25 DIP8,.3 DIP8,.3 SOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE
并行/串行 SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) 260 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 260
电源 3/5 V 3/5 V 3/5 V 3/5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.75 mm 4.32 mm 5.334 mm 1.75 mm
串行总线类型 MICROWIRE MICROWIRE MICROWIRE MICROWIRE
最大待机电流 0.00003 A 0.00003 A 0.00003 A 0.00003 A
最大压摆率 0.003 mA 0.003 mA 0.003 mA 0.003 mA
最大供电电压 (Vsup) 6 V 6 V 6 V 6 V
最小供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V
表面贴装 YES NO NO YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING
端子节距 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 40
宽度 3.9 mm 7.62 mm 7.62 mm 3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC) 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms
写保护 HARDWARE/SOFTWARE HARDWARE/SOFTWARE HARDWARE/SOFTWARE HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches 1 1 1 1

 
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