IDT72P51539L6BBGI,IDT72P51539L6BBGI pdf中文资料,IDT72P51539L6BBGI引脚图,IDT72P51539L6BBGI电路-Datasheet-电子工程世界

IDT72P51539L6BBGI: 产品描述FIFO, 16KX36, 3.7ns, Synchronous, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1 MM PITCH, GREEN, PLASTIC, BGA-256; 产品类别存储存储; 文件大小830KB，共87页; 制造商IDT (Integrated Device Technology); 标准

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IDT72P51539L6BBGI概述

FIFO, 16KX36, 3.7ns, Synchronous, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1 MM PITCH, GREEN, PLASTIC, BGA-256

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	BGA
包装说明	BGA, BGA256,16X16,40
针数	256
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	3.7 ns
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz
周期时间	6 ns
JESD-30 代码	S-PBGA-B256
JESD-609代码	e1
长度	17 mm
内存密度	589824 bit
内存集成电路类型	OTHER FIFO
内存宽度	36
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	256
字数	16384 words
字数代码	16000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	16KX36
可输出	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装等效代码	BGA256,16X16,40
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.5 mm
最大待机电流	0.1 A
最大压摆率	0.15 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	17 mm
Base Number Matches	1

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