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IDT72V835L10PF9

产品描述FIFO, 2KX18, 6.5ns, Synchronous, CMOS, PQFP128, TQFP-128
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文件大小325KB,共26页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT72V835L10PF9概述

FIFO, 2KX18, 6.5ns, Synchronous, CMOS, PQFP128, TQFP-128

IDT72V835L10PF9规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码QFP
包装说明TQFP-128
针数128
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间6.5 ns
周期时间10 ns
JESD-30 代码R-PQFP-G128
JESD-609代码e0
长度20 mm
内存密度36864 bit
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量128
字数2048 words
字数代码2000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2KX18
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFQFP
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度14 mm
Base Number Matches1

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