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RD48F2000P0ZTQ0

产品描述8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PBGA64
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共99页
制造商Numonyx ( Micron )
官网地址https://www.micron.com
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RD48F2000P0ZTQ0概述

8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PBGA64

8M × 16 FLASH 1.8V 可编程只读存储器, 85 ns, PBGA64

RD48F2000P0ZTQ0规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Numonyx ( Micron )
零件包装代码BGA
包装说明8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, SCSP-88
针数88
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间88 ns
其他特性SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
启动块TOP
命令用户界面YES
通用闪存接口YES
数据轮询NO
JESD-30 代码R-PBGA-B88
长度10 mm
内存密度67108864 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
湿度敏感等级1
功能数量1
部门数/规模4,63
端子数量88
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织4MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA88,8X12,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小4 words
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源1.8,1.8/3.3 V
编程电压1.8 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
部门规模16K,64K
最大待机电流0.000035 A
最大压摆率0.028 mA
最大供电电压 (Vsup)2 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位NO
类型NOR TYPE
宽度8 mm

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Numonyx™ StrataFlash
(P30)
®
Embedded Memory
Datasheet
Product Features
High performance
— 85 ns initial access
— 52 MHz with zero wait states, 17ns clock-to-data output
synchronous-burst read mode
— 25 ns asynchronous-page read mode
— 4-, 8-, 16-, and continuous-word burst mode
— Buffered Enhanced Factory Programming (BEFP) at 5
μs/
byte (Typ)
— 1.8 V buffered programming at 7
μs/byte
(Typ)
— Multi-Level Cell Technology: Highest Density at Lowest
Cost
— Asymmetrically-blocked architecture
— Four 32-KByte parameter blocks: top or bottom
configuration
— 128-KByte main blocks
Security
— One-Time Programmable Registers:
• 64 unique factory device identifier bits
• 2112 user-programmable OTP bits
— Selectable OTP Space in Main Array:
• Four pre-defined 128-KByte blocks (top or bottom
configuration)
• Up to Full Array OTP Lockout
— Absolute write protection: V
PP
= V
SS
— Power-transition erase/program lockout
— Individual zero-latency block locking
— Individual block lock-down
Architecture
Software
— 20
μs
(Typ) program suspend
— 20
μs
(Typ) erase suspend
— Numonyx™ Flash Data Integrator optimized
— Basic Command Set and Extended Command Set
compatible
— Common Flash Interface capable
Voltage and Power
— V
CC
(core) voltage: 1.7 V – 2.0 V
— V
CCQ
(I/O) voltage: 1.7 V – 3.6 V
— Standby current: 20μA (Typ) for 64-Mbit
— 4-Word synchronous read current:
13 mA (Typ) at 40 MHz
Quality and Reliability
— Operating temperature: –40 °C to +85 °C
— Minimum 100,000 erase cycles per block
— ETOX™ VIII process technology
Density and Packaging
— 56- Lead TSOP package (64, 128, 256,
512- Mbit)
— 64- Ball Numonyx™ Easy BGA package (64,
128, 256, 512- Mbit)
— Numonyx™ QUAD+ SCSP (64, 128, 256,
512- Mbit)
— 16-bit wide data bus
Order Number: 306666-11
November 2007
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