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RD3.0EB2

产品描述ZENER DIODE,SINGLE, TWO TERMINAL,3.12V V(Z),3.4%,DO-35
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小59KB,共12页
制造商NEC ( Renesas )
官网地址https://www2.renesas.cn/zh-cn/
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RD3.0EB2概述

ZENER DIODE,SINGLE, TWO TERMINAL,3.12V V(Z),3.4%,DO-35

ZENER 二极管,单一的, 2 TERMINAL,3.12V V(Z),3.4%,DO-35

RD3.0EB2规格参数

参数名称属性值
状态ACTIVE
二极管类型VOLTAGE REGULATOR DIODE

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DATA SHEET
ZENER DIODES
RD2.0E to RD200E
500 mW DHD ZENER DIODE
(DO-35)
DESCRIPTION
NEC Type RD2.0E to RD200E Series are planar type zener diode in the
popular DO-35 package with DHD (Double Heatsink Diode) construction
having allowable power dissipation of 500 mW. To meet various application
at customers, V
z
(zener voltage) is classified into the tight tolerance under
the specific suffix (B, B1 to B7).
PACKAGE DIMENSIONS
(in millimeters)
φ
0.5
25 MIN.
Cathode
indication
• DHD (Double Heatsink Diode) Construction
• V
z
: Applied E24 standard (RD130E to RD200E: 10 volts step)
• DO-35 Glass sealed package
φ
2.0 MAX.
25 MIN.
ORDER INFORMATION
RD2.0 E to RD39E with suffix “B1”, “B2”, “B3”, “B4”, “B5”, “B6” or “B7”
should be applied for orders for suffix “B”.
APPLICATIONS
Circuits for Constant Voltage, Constant Current, Waveform Clipper, Surge absorber, etc.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 ˚C)
Forward Current
Power Dissipation
Surge Reverse Power
Junction Temperature
Storage Temperature
I
F
P
P
RSM
T
j
T
stg
200 mA
500 mW
100 W (t = 10
µ
s)
175 ˚C
–65 to +175 ˚C
to see Fig. 17
Document No. D10213EJ5V0DS00 (5th edition)
Date Published December 1998 N CP(K)
Printed in Japan
©
4.2 MIN.
FEATURES
1981
8位宽、16深度同步FIFO的设计
(1)ALU译码器(2)用LFSR设计一个20分频的简单分频器;(3)FSM设计,设计“101001”的序列检测器;(4)8位宽、16深度同步FIFO的设计4个入门级问题,告诉我编写的代码就OK了。Thx....
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