电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

RD160EB5

产品描述100 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小59KB,共12页
制造商NEC ( Renesas )
官网地址https://www2.renesas.cn/zh-cn/
下载文档 全文预览

RD160EB5概述

100 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35

文档预览

下载PDF文档
DATA SHEET
ZENER DIODES
RD2.0E to RD200E
500 mW DHD ZENER DIODE
(DO-35)
DESCRIPTION
NEC Type RD2.0E to RD200E Series are planar type zener diode in the
popular DO-35 package with DHD (Double Heatsink Diode) construction
having allowable power dissipation of 500 mW. To meet various application
at customers, V
z
(zener voltage) is classified into the tight tolerance under
the specific suffix (B, B1 to B7).
PACKAGE DIMENSIONS
(in millimeters)
φ
0.5
25 MIN.
Cathode
indication
• DHD (Double Heatsink Diode) Construction
• V
z
: Applied E24 standard (RD130E to RD200E: 10 volts step)
• DO-35 Glass sealed package
φ
2.0 MAX.
25 MIN.
ORDER INFORMATION
RD2.0 E to RD39E with suffix “B1”, “B2”, “B3”, “B4”, “B5”, “B6” or “B7”
should be applied for orders for suffix “B”.
APPLICATIONS
Circuits for Constant Voltage, Constant Current, Waveform Clipper, Surge absorber, etc.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 ˚C)
Forward Current
Power Dissipation
Surge Reverse Power
Junction Temperature
Storage Temperature
I
F
P
P
RSM
T
j
T
stg
200 mA
500 mW
100 W (t = 10
µ
s)
175 ˚C
–65 to +175 ˚C
to see Fig. 17
Document No. D10213EJ5V0DS00 (5th edition)
Date Published December 1998 N CP(K)
Printed in Japan
©
4.2 MIN.
FEATURES
1981

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2870  809  368  1454  7  58  17  8  30  1 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved