SRAM Module, 1MX8, 100ns, MOS
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | ACCUTEK |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
| 最长访问时间 | 100 ns |
| JESD-30 代码 | R-XSMA-T36 |
| 内存密度 | 8388608 bit |
| 内存集成电路类型 | SRAM MODULE |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 36 |
| 字数 | 1048576 words |
| 字数代码 | 1000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 1MX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 可输出 | YES |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | MOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| Base Number Matches | 1 |
| AK681024G-100L | AK681024G-100LL | |
|---|---|---|
| 描述 | SRAM Module, 1MX8, 100ns, MOS | SRAM Module, 1MX8, 100ns, MOS |
| 厂商名称 | ACCUTEK | ACCUTEK |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A |
| 最长访问时间 | 100 ns | 100 ns |
| JESD-30 代码 | R-XSMA-T36 | R-XSMA-T36 |
| 内存密度 | 8388608 bit | 8388608 bit |
| 内存集成电路类型 | SRAM MODULE | SRAM MODULE |
| 内存宽度 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 36 | 36 |
| 字数 | 1048576 words | 1048576 words |
| 字数代码 | 1000000 | 1000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 1MX8 | 1MX8 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
| 可输出 | YES | YES |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 技术 | MOS | MOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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